台积电股价在推迟使用阿斯麦 4 亿美元设备后飙升 5%

台积电 (TSMC) 决定推迟采用阿斯麦 (ASML Holding NV) 最先进的制程设备，这一决定给半导体市场带来了截然不同的冲击：台积电股价飙升 5%，而阿斯麦市值则蒸发近 170 亿美元。尽管分析师认为此次推迟更多是时机选择问题，而非需求的结构性转变，但此举仍为行业在微缩化领域的下一个前沿进展投下了不确定性。

“我们仍能继续从当前的 EUV 中获益，”台积电副共同首席运营官张晓强告诉记者，并称下一代高数值孔径 (High-NA) EUV 设备“非常、非常昂贵”。这家荷兰设备制造商的机器单价超过 3.5 亿欧元（4 亿美元），大约是前代型号的两倍，台积电认为这一价格在 2029 年之前的量产中成本过高。

市场反应迅速且分化。在最大单一客户宣布这一消息后，阿斯麦的美国存托凭证 (ADR) 下跌多达 5.5%。相比之下，台积电股价跳涨 5%，显示出投资者对其无需昂贵升级即可提升性能和效率的战略充满信心。公司透露将利用其更为经济的 A13 和 N2U 制造节点（分别定于 2029 年和 2028 年推出），并结合先进封装解决方案。

这家全球最大代工厂的战略转向为其主要竞争对手英特尔 (Intel) 和三星电子 (Samsung Electronics) 创造了潜在机会。两家公司都对购买 High-NA EUV 技术表达了更积极的态度，这可能使它们能够缩小与台积电的技术差距。瑞银 (UBS) 分析师在客户报告中写道：“虽然台积电采用 High-NA 的时间可能晚于我们最初的预期，但这为其他代工厂和逻辑客户提供了更早切入并实现差异化的机会。”

成本效益分析

台积电决策的核心是复杂的成本效益分析。该公司计划继续使用当前一代的极紫外 (EUV) 光刻工具，同时通过其他手段挑战芯片设计的极限。在最近的圣克拉拉技术研讨会上，台积电详细介绍了多芯片堆叠计划，旨在到 2028 年实现将 10 颗大型计算芯片与 20 个高带宽内存堆叠封装在一起。这是相较于当前技术（如英伟达的 Vera Rubin，集成了两颗大芯片和八个内存堆叠）的一次重大飞跃。在晶体管微缩放缓的背景下，这种对先进封装的关注代表了提升性能的另一种路径。

审慎的风险

尽管台积电表现出信心，但推迟并非没有风险。如果英特尔或三星等竞争对手能更早成功地将 High-NA EUV 整合到大规模生产中，它们可能会提供更优越的性能或效率，从而挑战台积电的市场主导地位。然而，目前花旗集团 (Citigroup) 等机构的分析师认为，此举符合台积电一贯审慎的资本支出方式。他们指出，预计在 2028 年之前不会有大量的 High-NA 设备订单，这意味着市场的初步反应可能被夸大了。这一决定突显了保持在半导体制造尖端领域所需面临的巨大且不断增长的成本，甚至迫使行业领导者也不得不权衡进步的代价。

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