SK 海力士开始为英伟达 Rubin 平台生产 192GB AI 内存

SK 海力士公司正深化其在人工智能供应链中的关键角色，开始量产专为英伟达下一代 Vera Rubin AI 平台设计的 192GB 内存模块。此举旨在该平台 2026 年发布前解决 AI 基础设施的性能瓶颈。

SK 海力士代表在公告中表示：“这弥合了推理成本差距。”该公司表示将“与英伟达密切合作，解决 AI 基础设施中的瓶颈并提供最佳性能”。

新型 SOCAMM2 模块采用低功耗 LPDDR5X 内存，这种内存传统上用于移动设备，现在针对 AI 服务器的高需求进行了调整。该模块基于 SK 海力士最新的 1cnm 工艺（第六代 10 纳米技术）构建，192GB 封装提供了显著的密度提升，并实现了电源效率的最大化。这使得数据中心能够进行更强大、更高效的 AI 模型训练和推理。

这一进展巩固了 SK 海力士作为英伟达（人工智能加速器领域的霸主）关键供应商的地位。对于投资者而言，这一合作是与人工智能硬件建设相关的未来收入流的重要指标。然而，有报告指出潜在的不利因素，据称 SK 海力士正考虑在 Rubin 平台可能延迟的情况下，将该平台的 HBM4 出货量减少 20-30%。与此同时，竞争对手三星电子正致力于其先进的 2nm 工艺，但面临良率挑战，凸显了保持半导体制造领先地位所需的巨大技术难度和资本投入。

SOCAMM2 标准代表了服务器内存架构的转变。通过将低功耗 DRAM 封装到更紧凑、更高效的模块中，它解决了因 AI 模型日益增大而带来的对更高内存带宽和容量的不断增长的需求。SK 海力士在其先进的 1cnm 节点上量产这些模块的能力，使其在竞争激烈的 AI 硬件组件市场中获得了竞争优势。

本文仅供参考，不构成投资建议。