施密德在 ECTC 2026 展示面板级封装技术，满足 AI 芯片需求

随着人工智能和高性能计算驱动基板复杂性达到前所未有的高度，制造商正面临性能扩展的瓶颈，施密德集团（SCHMID Group）旨在通过其全新的面板级封装技术来应对这一挑战。

德国弗罗伊登施塔特 – 施密德集团（纳斯达克股票代码：SHMD）正在凭借其专有的 Any Layer ET（嵌入式迹线）工艺推进下一代基板制造。这是一个面板级平台，旨在满足人工智能和高性能计算硬件日益增长的需求。该技术超越了传统的基板制造，能够为复杂的芯片架构实现更精细、更可靠的互连。

“先进封装的未来将由精度、可靠性和可扩展制造来定义，”施密德集团首席销售官 Roland Rettenmeier 在一份声明中表示。“随着人工智能基础设施需求的加速，基板创新成为整体系统性能最具战略意义的推动因素之一。”

与传统的改良半添加法（mSAP）和半添加法（SAP）不同，施密德的技术是一种将铜迹线嵌入电介质层的大马士革工艺。其工作流程结合了深层反应离子刻蚀（DRIE）、用于种子层的物理气相沉积（PVD）、用于铜填充的电化学沉积（ECD）以及用于平坦化的化学机械抛光（CMP）。这种方法产生了卓越的线路定义和表面平整度，这对于先进封装中的超细再布线层（RDL）至关重要。

该公告使施密德能够利用行业向异构集成和更复杂封装架构转变的趋势。通过提供工艺诀窍和生产设备，公司为客户提供了一个集成平台，以实现下一代基板制造的工业化，并特别关注未来的玻璃芯封装。

大局观：冷却与复杂性

引入像 Any Layer ET 这样的先进制造工艺解决了创建更复杂、更密集的芯片互连的挑战，但它与另一个关键瓶颈——热管理同步。随着封装密度的增加，热密度也会随之增加。韩国科学技术院（KAIST）最近发表在《能源转换与管理》上的研究强调了这一挑战，其歧管微通道冷却器能够移除超过 2,000 W/cm² 的热量。虽然施密德的工艺实现了更强大的芯片设计，但像 KAIST 这样的冷却技术对于使其可行至关重要，这表明半导体行业的进步需要制造和热工程的综合手段。

下一步：ECTC 2026 演讲

施密德计划在即将在佛罗里达州奥兰多举行的 ECTC 2026 会议上详细说明其战略。Rettenmeier 计划发表题为“InfinityBoard——用于超细 RDL 和垂直互连集成的面板级玻璃芯封装平台”的演讲。该演讲将探讨大马士革工艺在实现未来半导体性能方面的作用，为与芯片制造商、OSAT 和设备供应商的互动提供关键论坛。

本文仅供参考，不构成投资建议。