SanDisk 加速 HBF 内存试点进度六个月 挑战竞争对手

SanDisk 正加速高带宽闪存 (HBF) 内存的商业化，将其开发时间表提前了约六个月，以挑战竞争对手 SK 海力士和三星，争夺定义 AI 存储下一层级的主动权。该公司目前计划在今年下半年推出原型产品。

“AI 基础设施的关键不在于单一产品的性能竞争，而在于整个生态系统的优化，”SK 海力士社长兼首席开发官 Ahn Hyun 最近表示，强调了合作与竞争并存的局面。

据 ETNews 报道，SanDisk 已开始与设备和材料合作伙伴讨论建立其 HBF 原型生产线。试点生产线预计将于 2026 年下半年投入运营，目标是在 2027 年实现商业化量产。加速的时间表释放出一个强烈的信号，即要在预期与蓬勃发展的高带宽内存 (HBM) 领域形成互补的市场中，夺取先发优势。

对 HBF 的推动旨在解决 AI 推理中存储层级日益增长的结构性缺口。虽然 HBM 为处理提供了无与伦比的带宽，但其容量有限。HBF 旨在通过硅通孔 (TSV) 技术堆叠 NAND 闪存来解决这一问题，在保持高带宽的同时，提供约 HBM 10 倍的存储容量。这使其成为 HBM 与较慢、高容量固态硬盘 (SSD) 之间的理想中间层。

竞争格局升温

三大内存制造商对 HBF 市场采取了不同的策略。SanDisk 凭借在 NAND 闪存和封装方面的深厚经验，正在利用其现有的技术基础。由于 HBF 和 HBM 共享类似的制造工艺，现有的 TSV 设备和键合材料供应链预计将直接过渡，这为成熟的 HBM 厂商带来了显著优势。

作为 HBM 领域的领导者，SK 海力士正通过开放计算项目 (OCP) 工作组积极推动 HBF 的标准化。该公司认为，将 HBF 确立为行业标准对于整个 AI 生态系统的增长至关重要。

与此同时，三星电子一直在悄然构建其能力，自 2020 年代初期以来一直进行 HBF 研究，并于近期加大了对 HBF 相关专利的收购力度。虽然三星尚未像 SK 海力士那样正式宣布规模，但其专利活动表明了对该技术的战略关注。行业观察人士预计，三星和 SanDisk 都将在 2027 年底至 2028 年初之间，将 HBF 集成到英伟达、AMD 和谷歌的产品中。

AI 时代的新存储层级

HBF 的商业化到来速度快于预期。被誉为“HBM 之父”的韩国科学技术院教授 Kim Joungho 最近表示，HBF 的采用正在“明显推进”，得益于从 HBM 开发中获得的经验，其开发周期将比 HBM 短得多。他预计，到 2038 年左右，HBF 的市场规模可能会超过 HBM。

对于投资者而言，HBF 竞赛代表了内存制造商在 HBM 之外可触达总市场的显著扩张。该技术的成功不仅将使 SanDisk（西部数据）、SK 海力士和三星的股价受益，还将惠及已在 HBM 生态系统中投入巨资的上游设备和材料供应商。

本文仅供参考，不构成投资建议。