核心要点:
- 三星、SK海力士和美光因涉嫌操控DRAM价格在美国面临集体诉讼
- 四年间DRAM价格飙升约700%,三大厂商将产能转向专注于AI的HBM
- 杰富瑞预测2028年前不会出现实质性价格缓解,Q3季环比涨幅料达40-50%
核心要点:

一起在加州联邦法院提起的集体诉讼指控全球三大存储芯片制造商合谋限制DRAM供应,导致价格在四年内飙升约700%。
根据Edgen看到的起诉书,三星电子、SK海力士和美光科技于6月25日被诉至美国加州北区联邦地区法院,指控其以向人工智能高带宽内存转型为掩护,合谋削减DDR3和DDR4内存芯片产量。原告由纽约Bathaee Dunne LLP律师事务所代理,要求法院发出禁令,并为在价格飙升期间购买含DRAM产品的消费者和企业寻求未指明金额的损害赔偿。
起诉书称:"被告利用AI驱动的HBM转型作为借口,人为减少商用DRAM市场的供应,以牺牲消费者利益为代价,攫取了数千亿的超额利润。"该诉讼援引苹果公司近期上调其iPad和Mac全系产品价格作为直接例证,说明被指控的合谋行为如何通过供应链传导至终端买家。
根据起诉书引用的数据,自2022年初以来,DRAM价格已攀升约700%。这三家公司控制着全球DRAM市场超过95%的份额,它们将晶圆产能转向HBM(一种为AI加速器垂直堆叠的特殊内存类型),同时减少了用于个人电脑、笔记本电脑和服务器的标准DDR芯片的产量。起诉书指出,三星和SK海力士曾在2000年代对美国刑事价格操控指控认罪,合计支付了7.31亿美元罚款,多名高管被判处监禁。
法律阴云叠加,下游买家面临本已严峻的价格前景。 杰富瑞分析师预测,DRAM价格第三季度将比前三个月再上涨40%至50%,第四季度季环比涨幅为30%至40%。该研究机构预计,到2027年,价格将同比上涨40%至45%,2028年之前不太可能出现实质性缓解。
本轮短缺为何有所不同。 与2000年代的价格操控事件——涉及高管在酒店房间会面进行明确串通——不同,当前的供应紧张存在真实的需求驱动因素:AI数据中心正在消耗大量HBM,每块英伟达H100或Blackwell GPU需要六到八个HBM3e堆叠层。美光已根据一项五年计划签署了16项战略客户协议,锁定了包括微软和亚马逊AWS在内的超大规模客户的供应。这种转变留给大众化DDR的晶圆产能减少,形成了联想所称的存储成本"新常态",这一局面可能持续到本十年末。
下游代价日益加重。 苹果今年上调了其硬件全系产品价格,称原因在于零部件成本上涨。Valve公司将其Steam Machine游戏主机售价定为1049美元,归因于内存短缺,称其原本预计零部件成本会下降而非上升。海盗船内存公司今年2月在其内存条包装上加装了防拆封条,以打击利用缺货行骗的不法分子。索尼表示已确保其PlayStation 5到2026年的DRAM供应,但警告称价格仍面临压力。
对于投资者而言,这起诉讼为三大存储制造商引入了新的法律风险。三星股价当前为市净率的1.4倍,SK海力士为1.8倍,美光为预期市盈率的2.1倍——如果案件取得进展或引发其他司法管辖区的监管审查,这些估值可能面临压缩。三家公司均表示正在扩大晶圆产能,位于得克萨斯州、韩国和日本的新工厂计划从2027年起陆续投产,但这些新增产能可能来不及缓解当前的价格周期。
本文仅供参考,不构成投资建议。