三星开始出货12层HBM芯片，加剧与美光在AI存储领域的竞争

三星电子于5月28日开始出货其12层HBM3E存储芯片，直接挑战美光在高带宽存储市场的领先地位，该市场为英伟达的AI加速器提供动力。

三星电子（Samsung Electronics Co.）于5月28日出货其首款12层HBM3E存储芯片，加剧了与美光科技（Micron Technology Inc.）和SK海力士（SK Hynix Inc.）三方在价值400亿美元的AI存储市场的争夺战。

"这是业界目前量产中容量最高的HBM产品，可为AI客户提供每堆栈多50%的存储容量，"三星存储产品规划执行副总裁李正培（Lee Jung-bae）在一份声明中表示。

据三星介绍，12层HBM3E芯片每堆栈提供36GB容量，带宽超过每秒1.2TB。相比之下，美光的8层HBM3E每堆栈为24GB，后者于2025年初开始批量出货。三星的产品采用热压非导电薄膜键合技术，该封装工艺相比传统方法将层厚减少了20%。

这一时间点使三星在HBM竞赛中领先于原定计划，对美光近期的市场主导地位构成威胁。美光股价在过去12个月内因AI存储需求上涨超过一倍，如今随着三星和SK海力士推出竞争产品，面临新的压力。英伟达（Nvidia Corp.）——HBM的最大消费者——计划每年在台湾AI生态系统投资1500亿美元，英伟达CEO黄仁勋本周表示。

HBM市场随AI需求激增而升温

高带宽存储已成为半导体领域竞争最激烈的细分市场之一，三大存储厂商竞相为英伟达的H200和B100系列加速器供货。HBM将多个DRAM芯片垂直堆叠，通过硅通孔互联，提供训练大型语言模型所需的巨大数据吞吐量。

三星的12层HBM3E进入了一个供应持续落后于需求的市场。美光在3月表示其2025年的HBM供应已全部售罄，而SK海力士——首家批量出货HBM3E的厂商——自2024年底以来一直满负荷运转。三星作为第三家合格供应商的加入，可能缓解英伟达及其他AI芯片买家的定价压力，同时压缩存储制造商的利润率。

这家韩国芯片制造商上周还化解了一场潜在的运营中断，与工会达成了一项前所未有的协议，通过承诺向存储芯片员工发放丰厚奖金避免了罢工。该协议确保了在HBM关键产能爬坡期间的生产稳定性。

投资影响

对于投资者而言，HBM竞赛带来了相互博弈的力量。三星作为批量供应商的加入可能扩大HBM的总可寻址市场——据行业估计，到2027年预计将达到400亿美元——为英伟达和其他AI芯片设计商提供更多采购灵活性。但这也威胁到美光和SK海力士在供应受限时期所享有的定价权。

美光目前的交易价格约为远期收益的12倍，低于费城半导体指数18倍的平均水平，反映出投资者对竞争压力的谨慎态度。三星的存储芯片部门在经历长期低迷后于2025年初扭亏为盈，如今面临着将HBM产量转化为可持续利润扩张的挑战。

本文仅供信息参考，不构成投资建议。