三星将 HBM 开发周期缩短至 1 年，以匹配英伟达发布周期

三星电子公司正在将其高带宽存储器 (HBM) 的开发周期从两年大幅缩减至仅一年，这一战略转变旨在与英伟达 (Nvidia Corp.) 等关键客户的年度发布计划同步，并挑战 SK 海力士 (SK Hynix Inc.) 的市场主导地位。此举旨在使三星在竞争激烈的 AI 存储芯片赛道中更加灵活。

一位知情人士向《釜山日报》透露：“公司已经制定并正在执行一项计划，每年发布下一代 HBM，以匹配英伟达等主要客户推出新款 AI 加速器的节奏。”

多年来，三星在 HBM 代际更新上一直采用约两年的周期。其目前量产的产品是 HBM3E，而下一代 HBM4 预计将与英伟达的 Vera Rubin 平台和 AMD 的 Instinct MI400 系列等新型 AI 加速器一同推出。然而，随着 AI 芯片巨头现在进入年度升级节奏，两年的周期可能会使存储供应商落后于客户需求。

这种加速对于三星在定制 HBM 市场中获取更大份额至关重要，而竞争对手 SK 海力士和美光科技 (Micron Technology Inc.) 也在该领域激烈竞争。通过直接将路线图与主要买家对接，三星能更深地嵌入 AI 硬件供应链，降低在未来加速器代际中被剔除的风险。

配合 AI 加速器军备竞赛

这一转变的主要驱动力是 AI 加速器制造商设定的惊人创新速度。随着英伟达等公司转向年度产品更新，它们需要能够跟上步伐的存储解决方案。无法匹配这种节奏的供应商将面临重大业务风险，包括失去关键的设计订单。三星决定将 HBM 开发时间表压缩至一年，是对这一市场现实的直接回应，确保其存储技术与其服务的处理器同步演进。

三星显著的垂直整合优势支持了这一战略转型。该公司控制着从制造基础逻辑代工到堆叠存储以及最终封装的整个生产过程。这种内部能力消除了对外部供应商的依赖，对于压缩开发时间表并确保不同生产阶段协调一致至关重要。混合键合等先进技术预计将成为 HBM5 和其他定制解决方案等未来产品的关键推动因素。

瞄准定制市场以收复失地

分析师认为，加速的一年周期将使三星在定制 HBM5 解决方案市场上获得关键的先发优势。随着大型科技公司寻求缩短自身产品开发时间并提高供应链效率，能够提供更快、更灵活迭代的存储供应商将成为极具吸引力的合作伙伴。

这一新战略的首次测试将是三星的 HBM4E，据报道该产品有望在今年下半年进行样品测试。虽然 SK 海力士目前凭借与英伟达的深度关系在 HBM 市场保持领先，但三星激进的新路线图信号显示了其积极争夺份额的意图。这一战略的成功最终将取决于其赢得下一代合同并重新确立其在高性能存储市场前沿地位的能力。

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