关键点:
- 美光科技(Micron Technology)股价在 4 月 22 日飙升超过 5%,创下历史新高,领涨内存和存储板块。
- 这一轮涨势由持续的 AI “超级周期”支撑,用于驱动先进 AI 加速器的高带宽内存(HBM)需求异常强劲。
- 行业表现:
- 美光 (MU): > +5%
- 希捷 (STX): > +2%
- DRAM ETF: > +4%
关键点:

美光科技公司(MU)周一飙升超过 5%,创下历史新高。随着投资者对人工智能驱动的长期超级周期信心不断增强,该公司领涨了整个内存和存储板块。
此次反弹反映出市场认识到,人工智能驱动的计算需求继续远超预期,为组件供应商创造了正向反馈循环。最近的分析师报告也表达了同样的观点,例如 Stifel 在最近的一份半导体行业更新中强调,“人工智能驱动的计算需求在加速计算和通用计算架构方面继续超出预期”。
这家总部位于爱达荷州博伊西的公司股价跳升是更大趋势的一部分。存储硬件提供商希捷科技(STX)涨幅超过 2%,Roundhill 内存 ETF(DRAM)涨幅超过 4%。这一走势超过了大盘指数,科技股比重较大的纳斯达克综合指数当天上涨了 1.22%。内存市场强劲的基本面也支撑了此次涨势,DRAM 价格持续攀升。韩国 ETNews 的一份报告指出,主要竞争对手三星在第一季度将 DRAM 价格翻了一番,并在第二季度进一步上调了 30%。
内存股的持续反弹标志着以周期性著称的半导体行业发生了结构性转变。云巨头和企业在人工智能基础设施上的巨额资本支出,需要大量高带宽内存(HBM)与英伟达(Nvidia)等领先企业的图形处理单元(GPU)封装在一起。根据市场研究机构 Gartner 的预测,这一趋势预计将推动 2026 年全球半导体支出达到 1.3 万亿美元,创下二十年来最大增幅。
此次涨势的核心驱动力是对 HBM 永无止境的需求,HBM 是训练和运行大型语言模型的强大处理器的关键赋能技术。随着人工智能芯片制造商不断挑战性能极限,对更快、更大内存池的需求也在同步增长。
为英伟达和其他 AI 参与者供应芯片的台积电(TSMC)最近报告其第一季度收入同比增长 35%,理由是人工智能需求压倒性增长,持续超过供应能力。代工厂层面的这一瓶颈产生了级联效应,收紧了包括内存在内的所有高性能组件的市场。
行业转向生产更复杂、利润更高的 HBM 芯片,正在收紧传统 DRAM 和 NAND 闪存的可用产能。这种动态赋予了美光、三星和 SK 海力士等生产商显著的定价权。
随着 Meta Platforms、谷歌和 OpenAI 等主要人工智能公司为 AI 硬件签订了多年、数吉瓦的合同,内存需求正变得不再那么具有周期性,而更像是一个长期的结构性增长故事。这种可见性使内存生产商能够锁定有利的长期合同,减少波动并支持更高的估值。
本文仅供参考,不构成投资建议。