内存芯片价格将在数周内见顶,这将给一个正依靠AI需求冲向历史高位的行业带来周期性下行风险。
内存芯片价格将在数周内见顶,这将给一个正依靠AI需求冲向历史高位的行业带来周期性下行风险。

美光科技(Micron Technology)股价周四下跌6.3%,此前雷蒙德詹姆斯(Raymond James)警告称,内存芯片价格将在2026年中见顶,并从明年初开始出现连续两个季度的环比下跌。
"我们预计DRAM和NAND的平均售价将在2026年中期见顶,"雷蒙德詹姆斯分析师卡尔·阿克曼(Karl Ackerman)周三在一份研究报告中表示。
这一警告出现之际,中国制造商长鑫存储(CXMT)和长江存储(YMTC)正在加大生产,在价格本已高企的市场中增加供应。根据Counterpoint Research的数据,由于内存成本高企迫使手机厂商减少采购,今年全球智能手机出货量预计将下降约14%。九家美国行业协会周三联合致信财政部长斯科特·贝森特(Scott Bessent)和商务部长霍华德·卢特尼克(Howard Lutnick),敦促采取措施缓解内存芯片短缺。
内存价格见顶通常标志着该行业"繁荣-萧条"周期中下行阶段的开始。阿克曼维持对美光的"跑赢大市"评级,他认为此次芯片制造商与客户之间的长期供应协议应能缓和周期性调整。
供应增加与需求走软形成双重挤压
供应方面,长鑫存储和长江存储正在增加DRAM和NAND市场的产能,威胁到支撑高价格的供给纪律。中国领先的DRAM生产商长鑫存储一直在扩充其晶圆产能,而长江存储也在提升3D NAND闪存的产量。两家公司都受益于中国政府旨在减少对外国芯片供应商依赖的扶持政策。
需求方面,AI对高带宽内存(用于英伟达(Nvidia)和AMD图形处理器的先进DRAM)的需求推动了组件成本飙升,以至于其他行业正在削减采购。Counterpoint数据显示,作为DRAM和NAND主要消费领域的智能手机市场,今年预计将萎缩14%。手机厂商面临更高的物料清单成本,在更换周期拉长已经承压的市场中,利润空间受到挤压。
上述行业协会的联名信凸显了影响的广泛性。"虽然AI的最新发展有望带来划时代的技术进步,对美国科技领导地位也很重要,但我们也必须确保其他关键行业不会受到负面影响,"这些组织写道。
估值信号:市场已在提前消化放缓
根据FactSet的数据,美光的远期市盈率已从今年4月的4.4倍扩大至11.7倍。对于一只通常因内存芯片周期性而估值偏低的股票而言,这一扩张反映出投资者对增长放缓的预期。
"我们认为这一市盈率倍数预示着未来一到两年内,合同平均售价增长放缓、利润率恶化以及供应过剩局面的出现,"阿克曼表示。
韩国同行SK海力士(SK Hynix)下跌2.6%,三星电子(Samsung Electronics)下跌2.5%,抛售潮波及整个内存板块。作为英伟达HBM内存的主要供应商,SK海力士是AI驱动内存热潮的最大受益者,而三星在抢占HBM市场份额方面进展较慢。
美光股价过去一年上涨916%,目前远期市盈率为11.7倍——这一估值倍数已经包含了放缓预期。如果长期供应协议得以维持,且AI对HBM的需求继续增长,本轮下行可能比历史周期更浅。但随着中国供应增加和智能手机需求萎缩,安全边际正在收窄。预计将于6月底公布的下季度财报,将为判断周期是仍有上行空间还是已经转向提供下一个数据点。
本文仅供参考,不构成投资建议。