存储类股2026年创史上最佳年度表现 估值仍偏低

存储芯片股在2026年创下有记录以来最强的年度回报，受人工智能对高带宽内存的需求推动，但估值仍低于历史正常水平，因市场已将行业反复出现的盛衰周期计入价格。该报道于6月18日发布。

"存储类股在过去几十年中基本以同样的节奏创造财富又失去财富——需求激增、供应泛滥、价格暴跌、然后重复，"报道称，描述了定义该行业的结构性模式。

此轮涨势由需要高带宽内存（HBM）的AI工作负载驱动，数据中心运营商争相争夺三星电子、SK海力士和美光科技的有限供应。华硕全球技术营销总监Sascha Krohn在2026年台北国际电脑展上表示，内存供应压力已将价格推高至整个PC行业，且涨价已蔓延至更广泛的硬件市场。

投资者面临的问题是这一周期是否会打破先例。随着内存制造商扩大产能以满足AI需求，12至18个月内供应过剩的风险是估值受抑制的主要因素。如果结构性AI需求使上升周期持续超过历史模式，当前的折价可能代表买入机会。如果周期遵循历史剧本，2026年表现最佳的股票可能面临急剧逆转。

AI需求重塑内存周期

传统的内存周期由PC和智能手机的换机需求驱动——可预测、具有季节性且存在上限。AI推理和训练工作负载改变了这一逻辑。最新一代高带宽内存HBM3E在2026年大部分时间内已售罄，制造商竞相扩大产能。HBM市场领导者SK海力士以及于2026年初开始量产HBM3E的美光科技均报告了创纪录的数据中心收入。

供应过剩风险压制估值

推动涨势的同样因素如今也在制造估值折价。三星电子、SK海力士和美光科技均已宣布扩大HBM和传统DRAM产能。台积电的CoWoS（晶圆基底芯片）封装产能——对于将HBM与AI加速器集成至关重要——正在以可能超过需求的速度扩张，一旦AI资本支出增长放缓。费城半导体指数涵盖所有三大内存制造商，其估值高于内存子板块，反映出市场对当前盈利水平可持续性的怀疑。

对投资者而言，内存板块呈现出一个典型的周期性问题。相对于更广泛半导体市场的折价反映了周期风险。如果AI需求被证明是结构性而非阶段性的，这些估值可能重新上行。如果不是，盈利峰值可能已经临近。

本文仅供参考，不构成投资建议。