到 2026 年，内存支出将占数据中心资本支出的 30%

人工智能需求的激增正促使数据中心支出向内存领域发生激进的重新分配。据预测，到 2026 年，内存支出占资本总支出的比例将从 2023 年的仅 8% 攀升至接近三分之一。研究机构 SemiAnalysis 预测的这一巨大转变，预示着高带宽内存 (HBM) 和 DRAM 等关键组件将进入价格飙升和供应短缺的时期。

报告预测，到 2026 年，DRAM 价格将翻一倍以上，并在 2027 年继续保持两位数的增长。“成本升幅是前所未有的，”戴尔首席运营官 Jeff Clarke 在财报电话会议上表示，他形容组件成本上涨的速度正在对服务器行业产生重大影响。

根据 SemiAnalysis 的数据，内存支出在超大规模数据中心资本支出中的占比到 2026 年将攀升至 30% 左右，并在 2027 年进一步上升。该公司预计，人工智能加速器必不可少的垂直堆叠内存 HBM 到 2027 年将一直处于供应短缺状态。这已经影响到了硬件成本，受内存成本上涨推动，英伟达 B200 服务器的价格预计到今年年底将上涨高达 20%。

即将到来的内存瓶颈创造了明显的赢家和输家。包括三星、SK 海力士和美光在内的内存生产商有望获得显著的收入和利润提升。相反，人工智能服务器制造商和大型云提供商将面临利润率的持续压力。这种情况还可能扩大英伟达与其竞争对手（如 AMD）之间的竞争差距，因为英伟达的规模使其能够从供应商那里获得“极度优惠”的定价，而这种折扣是小批量采购者无法享有的。

英伟达的优势与 AMD 的挑战

SemiAnalysis 指出，英伟达获得的优先 DRAM 定价有效地压缩了其服务器成本，并掩盖了市场其余部分供应短缺的严重程度。这种采购能力使其与竞争对手相比具有显著的成本结构优势。

由于人工智能加速器的市场份额较小，AMD 更容易受到内存成本不断攀升的影响，且无法获得类似的折扣。在内存逐渐成为主要成本驱动因素的市场中，这种动态可能会阻碍其在价格和规模上进行竞争的能力。

供应争夺战难以跟上步伐

为了应对需求，主要内存制造商正在将产能转向 HBM 和其他高利润的企业级 DRAM 产品。然而，这种转向限制了常规 DDR5 和 LPDDR5 内存的供应，从而推高了整体价格。

主要的新生产设施，如美光在广岛耗资 96 亿美元的 HBM 工厂以及 SK 海力士在利川和清州的扩建项目，预计最早也要到 2027 年或 2028 年才能贡献实质性产出。根据 SemiAnalysis 的说法，虽然云提供商已将这些价格上涨部分计入其 2026 年支出指引，但华尔街的预期尚未完全考虑到 2027 年预期的重新定价，这表明进一步的财务影响仍未完全反映在股价中。

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