存储芯片巨头转向传统 DRAM，推动价格上涨 20%

美银证券（Bank of America）的一份报告显示，存储芯片巨头正将资金从高带宽内存（HBM）重新分配到盈利能力更高的传统 DRAM。此举导致 2026 年第二季度 DDR5 合同价格飙升超过 20%，并使全球供应进一步吃紧。

这份于 4 月 24 日发布的报告指出，随着半导体生产商拒绝长期合同以利用飙升的现货价格，其投资逻辑正从“AI 溢价”转向“传统供应短缺”。这种转向正在重塑三星、SK 海力士和美光等关键供应商的生产优先级。

价格压力显著，16Gb DDR5 的合同价格在 2025 年第四季度已攀升约 200%，在 2026 年第一季度上涨了 80%。美银目前预测，本季度 NAND 合同价格将接近 30 美元，而 DDR5 现货价格则维持在接近 25 年来的最高水平。

这一战略转向威胁到英伟达等公司用于 AI 加速器的 HBM 供应，同时推高了 PC 和智能手机制造商的成本。此外，三星可能从 5 月 21 日开始进行的为期 18 天的罢工，可能会进一步扰乱本已脆弱的供应链。

盈利能力胜过炒作

资本重新分配的动力源于简单的经济学原理：根据美银的分析，LPDDR5 等传统 DRAM 的盈利能力已超过 HBM。这一趋势还受到下一代 HBM4 订单略有放缓，以及在某些 AI 推理工作负载中越来越多地使用基于 NAND 的 KV 缓存作为 HBM 部分替代方案的影响。因此，原定用于 HBM 扩产的资本现在正被转回传统 DRAM 甚至 NAND 的制造。这使得近期收入增长更多地依赖于传统存储器的销售，而非下一波 AI 专用芯片。

供应风险持续至 2027 年

市场正面临超出生产规划范围的供应限制。三星即将发生的劳资纠纷增加了一层不确定性，数万名员工要求分享公司第一季度 380 亿美元营业利润中的更大份额。作为全球最大的存储器制造商，三星任何形式的生产放缓都会产生立竿见影的连锁反应，收紧从企业级服务器到消费级设备的库存。

长期供应缓解似乎也有限。美银指出，原计划于 2028 年投产的大多数新晶圆厂目前的预期产能仅为每月 5,000 至 6,000 片晶圆，远低于最初预期。基于先进工艺节点的执行风险，这种保守的扩张支撑了对 2027 年存储器定价的看涨前景。据 Omdia 预测，计算和数据存储领域将领跑 2026 年半导体收入增长，同比飙升 90%，规模将超过 7000 亿美元，而这几乎完全是由存储器价格上涨而非出货量增长驱动的。

本文仅供参考，不构成投资建议。