黄仁勋刚刚告诉投资者,推动AI基础设施建设的存储芯片短缺将持续数年——这是在上周芯片股暴跌之后,对美光(Micron)和闪迪(SanDisk)的直接利好。
黄仁勋刚刚告诉投资者,推动AI基础设施建设的存储芯片短缺将持续数年——这是在上周芯片股暴跌之后,对美光(Micron)和闪迪(SanDisk)的直接利好。

英伟达公司(NVIDIA Corp.)首席执行官黄仁勋周一在韩国发表讲话时表示,AI相关股票"非常便宜",并警告内存短缺将持续数年,这对美光科技公司(Micron Technology Inc.)和闪迪公司(SanDisk Corp.)是一个利好信号。此番发言正值数月来最严重的半导体抛售之后。
"AI相关股票目前非常便宜,"黄仁勋在首尔出席活动时表示。他补充称,推动DRAM和NAND价格大幅上涨的内存供应紧张,近期内没有缓解迹象。
此番言论发表前,上周五芯片股遭遇惨烈抛售,半导体板块市值蒸发数十亿美元。美光过去52周涨幅已超过900%,近期加入万亿美元市值俱乐部,但其股价随同行一同下滑。闪迪股价年初至今上涨近700%,其2026年产能已全部售罄,2027年的供应已被超大规模云客户预订。
黄仁勋对内存紧张的明确多年期时间表,为内存板块的高估值提供了基本面支撑。华尔街预计闪迪2027财年每股收益可达177.84美元;按20倍市盈率计算,其股价将超过3500美元——约为目前水平的两倍。问题在于,在定价能力见顶之前,供应能否赶上需求。
内存短缺是AI基础设施建设的结构性瓶颈,而非周期性波动。数据中心需要大量DRAM(动态随机存取存储器)用于计算,以及基于NAND的固态硬盘用于存储——这两类产品均为闪迪和美光生产。一台英伟达HGX服务器主板可能需要数百颗存储芯片;超大规模云客户在AI工厂上投入数千亿美元所带来的总需求,已使全球制造产能不堪重负。
黄仁勋此次韩国之行意义重大,因为该国拥有全球最大的两家内存制造商——三星电子公司(Samsung Electronics Co.)和SK海力士公司(SK Hynix Inc.)。他的言论实际上肯定了内存厂商在当前周期中所享有的定价能力,并表明客户不应指望短期内得到缓解。
短缺为何具有持久性
供需数据说明了黄仁勋为何认为存在多年上升周期。根据行业估算,2025年全球DRAM位供应量增长约15%,而AI驱动的需求增长速度是其两倍以上。将生产线转向先进制程——例如从1-alpha向1-beta DRAM的过渡——需要18至24个月,并需投入数十亿美元的资本支出。仅美光一家公司,2026财年的资本支出指导目标就高达120亿至140亿美元,其中大部分投向服务于英伟达GPU加速器的高带宽内存(HBM)产线。
生产NAND闪存的闪迪面临类似情况。该公司2027年产能全部售罄,反映出超大规模客户提前锁定订单,将价格锁定在远高于历史均价的水平。如果如黄仁俊所言,内存短缺持续到2028年,闪迪的盈利轨迹可能会在比市场定价更长的时间内维持当前增速。
对投资者而言,黄仁勋的言论重新定义了风险回报计算。美光的远期市盈率约为12倍,低于其历史增速水平;闪迪基于2027财年预估盈利的远期市盈率约为20倍——这一定价了内存价格的软着陆,而黄仁勋的言论与之相反。如果短缺延续至2028年,两只股票均有重新上行的空间。风险在于,三星和SK海力士的产能增加最终将弥合供需缺口,压缩利润率。但就目前而言,AI领域最具影响力的声音已告诉市场:供应紧张将持续数年,而非几个季度。
本文仅供信息参考,不构成投资建议。