台積電股價在延後使用艾司摩爾 4 億美元設備後飆升 5%

台積電 (TSMC) 決定延後採用艾司摩爾 (ASML Holding NV) 最先進的製程設備，這一決定給半導體市場帶來了截然不同的衝擊：台積電股價飆升 5%，而艾司摩爾市值則蒸發近 170 億美元。儘管分析師認為此次延後更多是時機選擇問題，而非需求的結構性轉變，但此舉仍為產業在微縮化領域的下一個前沿進展投下了不確定性。

「我們仍能繼續從當前的 EUV 中獲益，」台積電副共同首席營運長張曉強告訴記者，並稱下一代高數值孔徑 (High-NA) EUV 設備「非常、非常昂貴」。這家荷蘭設備製造商的機器單價超過 3.5 億歐元（4 億美元），大約是前代型號的兩倍，台積電認為這一價格在 2029 年之前的量產中成本過高。

市場反應迅速且分化。在最大單一客戶宣布這一消息後，艾司摩爾的美國存託憑證 (ADR) 下跌多達 5.5%。相比之下，台積電股價跳漲 5%，顯示出投資者對其無需昂貴升級即可提升性能和效率的策略充滿信心。公司透露將利用其更為經濟的 A13 和 N2U 製造節點（分別定於 2029 年和 2028 年推出），並結合先進封裝解決方案。

這家全球最大代工廠的策略轉向為其主要競爭對手英特爾 (Intel) 和三星電子 (Samsung Electronics) 創造了潛在機會。兩家公司都對購買 High-NA EUV 技術表達了更積極的態度，這可能使它們能夠縮小與台積電的技術差距。瑞銀 (UBS) 分析師在客戶報告中寫道：「雖然台積電採用 High-NA 的時間可能晚於我們最初的預期，這為其他代工廠和邏輯客戶提供了更早切入並實現差異化的機會。」

成本效益分析

台積電決策的核心是複雜的成本效益分析。該公司計劃繼續使用當前一代的極紫外 (EUV) 光刻工具，同時通過其他手段挑戰晶片設計的極限。在最近的聖克拉拉技術研討會上，台積電詳細介紹了多晶片堆疊計劃，旨在到 2028 年實現將 10 顆大型運算晶片與 20 個高頻寬記憶體堆疊封裝在一起。這是相較於當前技術（如輝達的 Vera Rubin，集成了兩顆大晶片和八個記憶體堆疊）的一次重大飛躍。在晶體管微縮放緩的背景下，這種對先進封裝的關注代表了提升性能的另一種路徑。

審慎的風險

儘管台積電表現出信心，但延後並非沒有風險。如果英特爾或三星等競爭對手能更早成功地將 High-NA EUV 整合到大規模生產中，它們可能會提供更優越的性能或效率，從而挑戰台積電的市場主導地位。然而，目前花旗集團 (Citigroup) 等機構的分析師認為，此舉符合台積電一貫審慎的資本支出方式。他們指出，預計在 2028 年之前不會有大量的 High-NA 設備訂單，這意味著市場的初步反應可能被誇大了。這一決定突顯了保持在半導體製造尖端領域所需面臨的巨大且不斷增長的成本，甚至迫使產業領導者也不得不權衡進步的代價。

本文僅供參考，不構成投資建議。