重點摘要: 台積電已完成1.6奈米級A16製程開發,成為業界首個整合背面供電的埃米級製程節點,目標第四季量產。
重點摘要: 台積電已完成1.6奈米級A16製程開發,成為業界首個整合背面供電的埃米級製程節點,目標第四季量產。

台積電已完成1.6奈米級A16製程的開發,這是業界首個整合背面供電的埃米級製程節點,並計畫在第四季量產,以在競爭對手追趕上前鎖定AI訂單。
台灣經濟研究院研究員劉佩真表示,產業正從贏者全拿的結構轉向專業分工,由台積電負責最先進的微縮製程,其他廠商則分擔後段封裝與封測工作。
與台積電第二代2奈米增強版製程N2P相比,A16在相同功耗下速度提升8%至10%,在相同速度下降低功耗15%至20%,並將電晶體密度提升8%至10%。該節點採用垂直背面接觸結構,將電源直接路由至電晶體的源極和汲極區域,為前側信號佈線騰出空間。
台積電在全球晶圓代工市場市占率超過70%,而三星在第一季僅約7%。董事會已於8月11日批准294.4億美元的資本支出用於先進製程與封裝,押注A16將在埃米時代延續其領先優勢。
隨著製程節點微縮至2奈米以下,前側晶片必須同時承載電源與信號互連,有限的佈線空間造成擁塞與壓降問題。背面供電將電源網絡移至晶圓背面,為前側信號騰出空間,同時降低電阻。台積電A16採用專用垂直背面接觸結構,將電源直接連接至每個電晶體的源極與汲極,使電源與信號網絡分離。
關鍵差異化在於設計相容性。A16保留了N2P的閘極密度與NanoFlex設計彈性,將前側結構變動降至最低。這意味著已在台積電先進節點上進行設計的客戶,無需重建標準單元或設計架構即可遷移至A16——這對AI加速器與高效能運算晶片而言是一大優勢,因為這些晶片的設計週期長且IP複雜度高。
三星正優先推進其SF2 2奈米製程,並已取得特斯拉的長期訂單,但近期將其SF1.4(1.4奈米級)節點從2027年延後至2029年,以專注改善2奈米良率。英特爾則推進Intel 18A(約1.8奈米)及其18A-P升級版,次世代Intel 14A(1.4奈米)計畫於2027年下半年進行風險試產、2028年量產——名義上領先A16,但在實際出貨量上約落後兩年。
據業界消息指出,英特爾的PowerVia背面供電在測試期間需要變更單元架構,三星的SF2方案可能走類似路徑。相較之下,台積電A16在整合背面供電的同時維持既有設計相容性,降低客戶的遷移成本與上市時間。
如果A16如期量產,台積電可在三星與英特爾擴大次世代節點規模之前,搶下一批高端AI與HPC訂單。先進製程正成為台積電營收的成長支柱,N2、N2P與A16的更高單價預計將提升AI營收占比,並鞏固其晶圓代工主導地位。台積電ADR(TSM)被視為主要受惠標的,而三星與英特爾則面臨拱手讓出高階市場的風險。此外,AI晶片需求也令台積電CoWoS先進封裝產能趨緊,據報導部分封裝產量已轉移至英特爾馬來西亞廠——顯示供應鏈正於前段先進製程與後段封裝之間進行分工。
本文僅供資訊參考,不構成投資建議。