- SK 海力士已開始量產高容量 192GB SOCAMM2 記憶體模組,這是 AI 伺服器應用的新標準。
- 該記憶體基於公司最新的 1cnm LPDDR5X DRAM 工藝構建,最大程度地提高了數據中心的電源效率和密度。
- 這些模組專為輝達下一代 Vera Rubin AI 平台設計,深化了兩家公司之間的合作夥伴關係。
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SK 海力士公司正深化其在人工智慧供應鏈中的關鍵角色,開始量產專為輝達下一代 Vera Rubin AI 平台設計的 192GB 記憶體模組。此舉旨在該平台 2026 年發布前解決 AI 基礎設施的效能瓶頸。
SK 海力士代表在公告中表示:「這彌補了推論成本差距。」該公司表示將「與輝達密切合作,解決 AI 基礎設施中的瓶頸並提供最佳效能」。
新型 SOCAMM2 模組採用低功耗 LPDDR5X 記憶體,這種記憶體傳統上用於行動裝置,現在針對 AI 伺服器的高需求進行了調整。該模組基於 SK 海力士最新的 1cnm 工藝(第六代 10 奈米技術)構建,192GB 封裝提供了顯著的密度提升,並實現了電源效率的最大化。這使得數據中心能夠進行更強大、更高效的 AI 模型訓練和推論。
這一進展鞏固了 SK 海力士作為輝達(人工智慧加速器領域的霸主)關鍵供應商的地位。對於投資者而言,這一合作是與人工智慧硬體建設相關的未來收入流的重要指標。然而,有報告指出潛在的不利因素,據稱 SK 海力士正考慮在 Rubin 平台可能延遲的情況下,將該平台的 HBM4 出貨量減少 20-30%。同時,競爭對手三星電子正致力於其先進的 2nm 工藝,但面臨良率挑戰,凸顯了保持半導體製造領先地位所需的巨大技術難度和資本投入。
SOCAMM2 標準代表了伺服器記憶體架構的轉變。通過將低功耗 DRAM 封裝到更緊湊、更高效的模組中,它解決了因 AI 模型日益增大而帶來的對更高記憶體頻寬和容量的不斷增長的需求。SK 海力士在其先進的 1cnm 節點上量產這些模組的能力,使其在競爭激烈的 AI 硬體組件市場中獲得了競爭優勢。
本文僅供參考,不構成投資建議。