SK 海力士漲 8%、三星漲 4%，空頭回補帶動晶片股反彈

SK 海力士在美國上市的股票週二收盤上漲 8.2%，報每股 153.38 美元，三星電子則上漲近 4%，券商大舉開啟研究覆蓋及空頭回補，扭轉了韓國記憶體股長達一個月的拋售潮。

「SK 海力士是 AI 時代的記憶體龍頭，」William Blair 分析師 Sebastien Naji 在首次覆蓋研究中給予 260 美元的目標價時表示。

至少有六家券商開始以相當於「買入」的評級覆蓋 SK 海力士的美國存託憑證（ADR）。Stifel 的 Brian Chin 設定 240 美元目標價，Rosenblatt Securities 則給出激進的 320 美元目標價。在此之前，穆迪將 SK 海力士的債券評級從 Baa1 上調至 A3，理由是未來 12 至 18 個月內獲利能力強勁、現金流量充沛。

此次反彈反映的是部位調整，而非基本面轉變。花旗分析師 David Chew 表示，空頭部位已過於一面倒，只要 AI 市場情緒出現任何穩定跡象，就可能觸發空頭回補行情。SK 海力士 ADR 目前交易價格約為前瞻本益比的 5 倍，僅為美光科技等美國同業估值倍數的一小部分。

漲勢蔓延至首爾市場，SK 海力士股價週三上午尾盤上漲逾 8%，三星上漲近 4%，推升韓綜指（Kospi）上漲逾 5%。外資與機構投資者為淨買家。

此番漲幅反映市場結構的單邊化。7 月的修正因槓桿式交易所交易產品、追繳保證金以及三星和 SK 海力士擁擠部位的清算而加劇。市場數據顯示，掛鉤這兩家晶片製造商的單一股票槓桿 ETF 資產規模從 6 月底的 500 億美元縮水至上週的 170 億美元。

以 Rajiv Batra 為首的摩根大通策略師表示，槓桿 ETF 的清算已告完成，對沖基金的去槓桿化也已完成約 90%。但法國巴黎銀行的 William Brattan 指出，純做多（long-only）投資者仍不願持有波動如此劇烈的部位，這解釋了為何週二華爾街收盤表現良好，首爾市場僅獲得有限支撐的原因。

記憶體基本面依然吃緊

產業前景比 7 月股價崩跌所暗示的更為強勁。SK 海力士公布第二季營收達 79.32 兆韓元（546 億美元），年增 257%；DRAM 平均售價季增 30%，NAND 售價更飆升 50%。毛利率從一年前的 54% 擴大至 83%，營業利益率則攀升至 76%。

該公司表示，超大規模雲端業者在建置 AI 基礎設施之際，持續要求更多記憶體供應。HBM4 將於 2026 年下半年放量，SK 海力士已與約 10 家客戶鎖定長期合約。資本支出計畫介於高 40 兆韓元區間（276 億美元）。

三星表示，在多年期客戶合約支持下，記憶體供應應會持續吃緊至 2027 年。該公司龐大的 DRAM 規模使其能在供應受限推升全市場價格時受益。

中國供應疑慮揮之不去

長鑫存儲（CXMT）仍是產業最明確的隱憂。這家中國 DRAM 製造商正考慮在北京再建一座廠房，若規劃項目全部完成，產能可能增加逾一倍。晨星分析師 William Kerwin 指出，長鑫存儲去年僅佔全球 DRAM 產量的約 6%，短期內擾亂三星、SK 海力士及美光的能力有限。但他警告，若四家廠商同步擴產，到 2028 年可能對價格形成壓力。

SK 海力士在美國的上市股票較其首爾掛牌股價溢價 37.5%，反映美國投資者取得管道更便捷，以及相對於美光的估值折價持續收窄。該公司 DRAM 市佔率下滑 13 個百分點至 26%，但華爾街看多的首次覆蓋研究顯示，市場對其與輝達加速器相關的 HBM 領導地位深具信心。

對投資者而言，問題在於此次反彈代表的是持久底部，還是更大修正趨勢中的技術性反彈。SK 海力士約 5 倍的前瞻本益比與三星更廣泛的記憶體業務曝險，提供了不同的風險格局。2027 年前供應吃緊的敘事對兩者均構成支撐，但記憶體產業週期劇烈反轉的歷史，使風險溢價維持在高檔。

本文僅供參考，不構成投資建議。