SanDisk 加速 HBF 記憶體試點進度六個月 挑戰競爭對手

SanDisk 正加速高頻寬快閃記憶體 (HBF) 記憶體的商業化，將其開發時間表提前了約六個月，以挑戰競爭對手 SK 海力士和三星，爭奪定義 AI 存儲下一層級的主動權。該公司目前計劃在今年下半年推出原型產品。

「AI 基礎設施的關鍵不在於單一產品的性能競爭，而在於整個生態系統的優化，」SK 海力士社長兼首席開發官 Ahn Hyun 最近表示，強調了合作與競爭並存的局面。

據 ETNews 報導，SanDisk 已開始與設備和材料合作夥伴討論建立其 HBF 原型生產線。試點生產線預計將於 2026 年下半年投入運營，目標是在 2027 年實現商業化量產。加速的時間表釋放出一個強烈的信號，即要在預期與蓬勃發展的高頻寬記憶體 (HBM) 領域形成互補的市場中，奪取先發優勢。

對 HBF 的推動旨在解決 AI 推理中存儲層級日益增長的結構性缺口。雖然 HBM 為處理提供了無與倫比的頻寬，但其容量有限。HBF 旨在通過矽通孔 (TSV) 技術堆疊 NAND 快閃記憶體來解決這一問題，在保持高頻寬的同時，提供約 HBM 10 倍的存儲容量。這使其成為 HBM 與較慢、高容量固態硬碟 (SSD) 之間的理想中間層。

競爭格局升溫

三大記憶體製造商對 HBF 市場採取了不同的策略。SanDisk 憑藉在 NAND 快閃記憶體和封裝方面的深厚經驗，正在利用其現有的技術基礎。由於 HBF 和 HBM 共享類似的製造工藝，現有的 TSV 設備和鍵合材料供應鏈預計將直接過渡，這為成熟的 HBM 廠商帶來了顯著優勢。

作為 HBM 領域的領導者，SK 海力士正通過開放計算項目 (OCP) 工作組積極推動 HBF 的標準化。該公司認為，將 HBF 確立為行業標準對於整個 AI 生態系統的增長至關重要。

同時，三星電子一直在悄然構建其能力，自 2020 年代初期以來一直進行 HBF 研究，並於近期加大了對 HBF 相關專利的收購力度。雖然三星尚未像 SK 海力士那樣正式宣布規模，但其專利活動表明了對該技術的戰略關注。行業觀察人士預計，三星和 SanDisk 都將在 2027 年底至 2028 年初之間，將 HBF 集成到英偉達、AMD 和谷歌的產品中。

AI 時代的新存儲層級

HBF 的商業化到來速度快於預期。被譽為「HBM 之父」的韓國科學技術院教授 Kim Joungho 最近表示，HBF 的採用正在「明顯推進」，得益於從 HBM 開發中獲得的經驗，其開發週期將比 HBM 短得多。他預計，到 2038 年左右，HBF 的市場規模可能會超過 HBM。

對於投資者而言，HBF 競賽代表了記憶體製造商在 HBM 之外可觸達總市場的顯著擴張。該技術的成功不僅將使 SanDisk（西部數據）、SK 海力士和三星的股價受益，還將惠及已在 HBM 生態系統中投入巨資的上游設備和材料供應商。

本文僅供參考，不構成投資建議。