三星採用2奈米GAA製程於HBM5，目標速度提升50%

三星電子將在其第八代HBM5記憶體的基底晶片中嵌入2奈米環繞閘極（GAA）製程，目標是較HBM4E提升超過50%的速度，藉此挑戰SK海力士在AI記憶體市場的領先地位。

三星代工業務部門技術開發主管兼執行副總裁具滋謙（Koo Ja-heum）在公司新聞室7月27日發布的專訪中表示：「HBM5基底晶片將採用GAA結構的2奈米製程，實現更高密度的矽穿孔（TSV）技術。」

三星此前在HBM4及HBM4E的基底晶片中採用4奈米第四代製程，實現14 Gbps的數據處理速度。躍升至2奈米GAA——一種電晶體架構，其閘極圍繞電流通道的所有四個面，從而提升每瓦性能——代表整整兩代製程的跳躍。三星已於2025年下半年開始量產其第一代2奈米製程，並計劃於2026年下半年為新款行動產品啟動第二代2奈米生產。

此舉正值三星力圖在HBM領域收復市占率之際，SK海力士在供應輝達（Nvidia）AI加速器方面一直佔據主導地位。三星憑藉其整合式元件製造商（IDM）模式——將記憶體、晶圓代工與封裝整合於一身——在大約三個月內完成了HBM4基底晶片樣品，該公司稱，這一時間表是台積電（TSMC）等純代工廠難以匹敵的。

一場價值兩千億美元的垂直整合豪賭

HBM5的技術路線圖緊接在一系列重大合作協議之後。7月24日，三星宣布與博通（Broadcom）達成一項為期五年的戰略協議，合約價值超過兩千億美元，涵蓋至2030年的2奈米及次2奈米代工服務、下一代HBM4記憶體，以及先進的2.3D與2.5D封裝技術。該交易通過為博通提供一條減少供應鏈摩擦的全棧式解決方案，直接挑戰台積電在晶圓代工的霸主地位。

據具滋謙透露，三星還已獲得特斯拉（Tesla）車規級2奈米晶片的訂單，以及多家AI與高效能運算客戶的訂單。該公司正為AMD的Helios基礎設施平台及MI455X加速器供應HBM4記憶體，後者採用了台積電的2奈米與3奈米小晶片技術。單套Helios機架整合了31 TB的HBM4記憶體，首批出貨將於第三季度末啟動。

2奈米轉型對AI記憶體市場的意義

將HBM基底晶片轉向2奈米GAA製程，旨在解決AI加速器設計中日益嚴峻的瓶頸問題。隨著GPU運算密度持續提升，記憶體堆疊與處理器之間的介面必須在不消耗不成比例功耗的情況下跟上節奏。三星的GAA架構相比其4奈米基底晶片所使用的FinFET結構，能實現更精準的電流控制，從而在相同面積內封裝更高密度的矽穿孔，帶來更大的頻寬。

對投資人而言，問題在於三星能否將其技術路線圖轉化為市占率的實際成長。SK海力士已在HBM3及HBM4世代中佔據主導地位，並與輝達簽訂了長期供應協議。三星的HBM5時間表——採用2奈米GAA基底晶片，速度提升超過50%——是其在下一個記憶體世代中實現彎道超車最明確的嘗試。以本益比衡量，三星股價相較SK海力士存在折價，反映出市場對其晶圓代工業務復甦持懷疑態度。若三星能達成其生產目標，博通交易與HBM5路線圖有望縮小這一差距。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。