三星推出12層HBM晶片，加劇與美光的AI記憶體競爭

三星電子於5月28日開始出貨其12層HBM3E記憶體晶片，直接挑戰美光在高頻寬記憶體市場的領先地位，該市場為輝達的AI加速器提供動力。

三星電子（Samsung Electronics Co.）於5月28日出貨其首款12層HBM3E記憶體晶片，加劇了與美光科技（Micron Technology Inc.）及SK海力士（SK Hynix Inc.）之間對於規模達400億美元的AI記憶體市場主導權的三方爭奪戰。

三星記憶體產品規劃執行副總裁Lee Jung-bae在一份聲明中表示：「這是業界目前量產中容量最高的HBM產品，可為AI客戶提供每個堆疊多50%的記憶體容量。」

根據三星的說法，這款12層HBM3E晶片每個堆疊提供36GB的容量，頻寬超過每秒1.2TB。相比之下，美光的8層HBM3E每個堆疊為24GB，該產品已於2025年初開始量產出貨。三星的產品採用熱壓縮非導電薄膜接合封裝技術，與傳統方法相比，可將層厚減少20%。

這一時間點使三星在HBM競賽中領先進度，對美光近期的龍頭地位構成威脅。美光股價在過去12個月因AI記憶體需求而翻漲超過一倍，如今隨著三星和SK海力士推出競品，面臨新的壓力。三星的HBM出貨之際，HBM最大消費商輝達（Nvidia Corp.）執行長黃仁勳本週表示，計劃每年在台灣的AI生態系統投資1500億美元。

AI需求激增，HBM市場升溫

高頻寬記憶體已成為半導體領域競爭最激烈的細分市場之一，三大記憶體製造商正爭相供應輝達的H200和B100系列加速器。HBM透過矽穿孔技術垂直堆疊多個DRAM晶粒，以提供訓練大型語言模型所需的海量數據吞吐量。

三星的12層HBM3E進入的是一個供應持續供不應求的市場。美光在3月表示其2025年的HBM供應已全部售罄，而SK海力士——首家量產出貨HBM3E的廠商——自2024年底以來一直滿載運轉。三星加入成為第三家合格供應商，可能緩解輝達及其他AI晶片買家的價格壓力，但同時也壓縮了記憶體製造商的利潤空間。

這家南韓晶片製造商上週還化解了一場潛在的供應中斷危機，與工會達成了一項前所未有的協議，透過承諾向記憶體晶片員工提供豐厚獎金，避免了罷工的發生。該協議確保了在HBM關鍵量產階段的生產穩定性。

投資影響

對於投資人而言，HBM競賽帶來了正反兩股力道。三星以量產供應商身份加入，可望擴大HBM的整體潛在市場規模——根據業界預測，該市場到2027年將達到400億美元——因為輝達及其他AI晶片設計商可獲得更多元化的採購管道。但這也威脅到美光和SK海力士在供應受限時期所享有的定價能力。

美光的預期本益比約為12倍，低於費城半導體指數平均的18倍，反映出投資人對競爭壓力的謹慎態度。三星的記憶體晶片部門在經歷長時間低迷後，於2025年初轉虧為盈，如今面臨的挑戰是如何將HBM的出貨量轉化為可持續的利潤增長。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。