美光目標年底前將HBM產能提升近一倍至10萬片晶圓

美光科技正力爭在年底前將高頻寬記憶體產能提高近一倍，每月增加多達6萬片晶圓，使總產能達到約10萬片，試圖縮小與SK海力士及三星電子之間的產能差距——這一差距使其在AI記憶體市場中屈居第三。這家美國記憶體製造商正將產品組合轉向12層HBM4——即用於Nvidia Vera Rubin加速器的記憶體——該世代產出占比目標是從今年初的20%至30%攀升至12月的最高50%。

美光執行長Sanjay Mehrotra在6月的公司會計年度第三季財報電話會議上表示：「美光的HBM4產能爬坡速度是HBM3的兩倍。」他援引數據指出，HBM4的累計營收已突破10億美元。更快的量產爬坡反映市場需求的強勁，美光的HBM在2026日曆年度已全數售罄，且2027年的相當一部分產能已根據長期客戶協議被預訂。

擴產計畫獲得增加的設備訂單支持，這些設備正流入美光位於台灣銅鑼及新加坡兀蘭（Woodlands）的封裝基地，同時位於日本廣島的晶圓廠投資也在籌備中。根據ETNews引述業界消息來源，去年該公司每月生產約4萬至5萬片HBM晶圓，意味著新增產能將使其原有基礎擴大逾一倍。已於第二季開始量產的HBM4 12層產品，可望超越目前占美光產出主力的12層HBM3E。

這項推進之所以重要，是因為美光的規模與韓國競爭對手差距懸殊。SK海力士和三星每月各生產約15萬至20萬片HBM晶圓，為美光目前水準的三至四倍；Counterpoint Research第二季數據顯示，美光的HBM市占率為18%，而SK海力士為50%、三星為32%。若美光達成年底目標，與兩家競爭對手的產能差距將縮小至目前規模的大約一半，為市占率重新分配鋪路。

三星並未坐以待斃。這家韓國巨頭正將每月約15萬片HBM晶圓中的約半數投入HBM4，自2月首次出貨後持續提高產量；據業界報告，其HBM4良率已從六個月前的約60%攀升至接近80%。與此同時，SK海力士正在印第安納州打造其首座美國AI記憶體樞紐，計劃自2029年下半年起向美國客戶供應次世代HBM。

對投資人而言，競爭焦點集中在誰能掌握Nvidia不斷變化的HBM需求。Nvidia正在分散其記憶體配置，三星和SK海力士計劃在今年下半年提高8層HBM4的出貨量，因為該晶片設計商需要在熱管理和供應鏈穩定性之間取得平衡。美光將HBM4E視為客製化HBM時代的開端，並預期於2027年在其1-gamma製程節點上開始量產該世代產品；美光押注其更快的生產學習曲線將使其在該業務中贏得更大市占。帶動傳統DRAM和NAND價格上漲的記憶體短缺預計將持續至2027年和2028年，這意味著誰能最快擴大規模，誰就擁有鎖定多年營收的最明確路徑。

本文僅供參考，不構成投資建議。