美光科技高頻寬記憶體晶片全年已售罄,顯示AI基礎設施需求正壓垮半導體產業的供應能力。
美光科技高頻寬記憶體晶片全年已售罄,顯示AI基礎設施需求正壓垮半導體產業的供應能力。

美光科技高頻寬記憶體晶片全年已售罄,顯示AI基礎設施需求正壓垮半導體產業的供應能力。
美光科技(Nasdaq: MU)已成為人工智慧基礎設施建置浪潮中最大的受惠者之一,股價年初至今飆升233%,過去12個月更暴漲918%。這家記憶體晶片製造商的高頻寬記憶體(HBM)——輝達(Nvidia Corp.)AI加速器的關鍵組件——2026年產能已全數簽約完畢,使該公司得以在週期性半導體產業中罕見的速度漲價並擴大獲利能力。
「記憶體行情依然活躍,」Cantor Fitzgerald分析師C.J. Muse表示,他將美光目標價上調至1,500美元,並預測記憶體晶片將在2028年前持續供不應求。富國銀行也在該公司最新財報發布後跟進調升目標價。
在2026會計年度第二季,美光營收達239億美元,較去年同期成長195%,較前一季成長76%。其雲端記憶體業務毛利率達74%,高於去年同期的55%;資料中心毛利率則達74%,遠優於去年的47%。針對當前季度,該公司預測營收為335億美元——季增40%——毛利率擴大至81%,每股盈餘為18.90美元,高於上季的12.07美元。
該股在6月3日觸及1,079美元,隨後因博通(Broadcom Inc.)財報及優於預期的美國就業報告削弱降息預期,引發半導體廣泛拋售,股價下跌約12%至874美元。此後已反彈至約947美元。即使經歷回檔,美光前瞻本益比仍僅為10倍,這樣的估值水準上一次出現是在2025年8月,當時股價為119美元。其五年本益比成長比(PEG)為0.37,通常被視為股票遭低估的水準。
HBM為何成為瓶頸
高頻寬記憶體將DRAM晶片垂直堆疊,以傳統記憶體無法比擬的速度向AI處理器傳輸資料。隨著輝達、超微(Advanced Micro Devices Inc.)及越來越多客製化晶片設計商爭搶HBM供應,美光——與南韓SK海力士(SK Hynix Inc.)及三星電子(Samsung Electronics Co.)——幾乎掌握了所有可用產能。
輝達證實,美光將為其Vera Rubin AI晶片架構供應HBM,這項設計勝利鎖定了整個下一代產品週期的需求。與輝達的合作關係,加上黃仁勳近期亞洲之行與SK海力士及其他韓國科技公司簽訂多年協議,更加強了記憶體供應將在數年內持續緊俏的觀點。黃仁勳表示,產業仍處於「AI革命的開端」。
估值脫節還是新常態?
該股前瞻本益比10倍,按傳統標準已落入價值股區間,但公司營收卻以三位數成長。這種脫節反映了市場對美光能否維持此成長軌跡的持續質疑——而這個問題的關鍵取決於超大規模雲端供應商的AI資本支出能否持續。
美光市值已膨脹至1.1兆美元,使其躋身美國最大半導體公司之列。Cantor Fitzgerald的1,500美元目標價意味著較當前水準約有58%的上漲空間,其依據是記憶體供不應求將持續至2028年。該公司的HBM供應已鎖定長期合約,提供了週期性記憶體產業以往極少給予投資人的營收能見度。
對投資人而言,核心問題在於當前估值是否已將HBM榮景充分反映,抑或仍有進一步上漲空間。考量PEG比率低於1,且前瞻本益比處於歷史上曾預示反彈的水準——該股在前瞻本益比上次觸及此水位後的五個月內上漲了135%——數據顯示市場尚未完全反映AI記憶體週期的持續時間。
本文僅供資訊參考,不構成投資建議。