美光加速美國投資至2500億美元，紐約晶圓廠提前動工

美光將2035年前的美國投資計畫提高至超過2500億美元，押注人工智慧驅動的記憶體需求將使供應在未來數年內持續吃緊，超出當前預測範圍。

「在美國慶祝建國250週年之際，數據與記憶體是現代經濟的基石——而美光正在將我們在美國的投資提高至2035年前超過2500億美元，以迎接這一時代的到來，」美光董事長、總裁暨執行長梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）表示。

該公司於7月9日在紐約克萊（Clay）廠區澆築首方混凝土，進度較原計畫提前超過一季。該廠區最多將容納四座製造工廠，預計將成為美國史上最大的半導體製造基地，製造作業將於2029年至2030年間展開。美光同時選定柏克德（Bechtel）為其工程、採購及施工合作夥伴，並已向紐約州承包商撥款約6.75億美元。

這項擴大的承諾出爐之際，美光現有產能早已被預訂數年。該公司的HBM3E和HBM4記憶體截至2027日曆年度已100%售罄，訂單已排至2028年，超大型雲端業者更已預付220億美元的現金訂金以確保供應。對投資人而言，關鍵在於梅赫羅特拉所稱的記憶體短缺是結構性的——而非週期性的——這將足以證明這筆前所未有的資本支出是合理的。

結構性短缺，非週期性現象

梅赫羅特拉6月30日告訴CNBC的Jim Cramer，業界需要的是從零開始興建的全新產能——需要耗時多年建造的全新無塵室。美光在愛達荷州的第一座晶圓廠將於2027年中開始產出晶圓，產能主要將於2028年拉升，第二座愛達荷廠則於該年底投產。紐約廠區隨後跟進，四座工廠中的第二座將於2028年動工，整個園區預計在2040年代初全面營運。

支撐供應緊張的數字相當驚人。美光第三財季營收達414.6億美元，較去年同期的93.0億美元激增346%。非GAAP每股盈餘為25.11美元，優於市場共識預期的20.78美元。自由現金流達183.0億美元，創下公司紀錄。針對本季，美光預測營收為500億美元，毛利率約86%，每股盈餘為31.00美元。

HBM記憶體——即與輝達（Nvidia Corp.）和超微（Advanced Micro Devices Inc.）AI加速器搭配使用的高頻寬晶片——正是這波需求激增的核心。美光透露，其已出貨超過10億美元的HBM4——這是目前量產中最先進的記憶體產品。據梅赫羅特拉表示，該公司擁有約6.5萬項專利，並在DRAM和NAND兩大領域均取得技術領先地位，超越南韓競爭對手SK海力士（SK Hynix）和三星電子（Samsung Electronics Co.）。

勞動力與供應鏈挑戰

要建立這樣的產能，除了資金之外，人力的重要性同樣不可忽視。梅赫羅特拉坦言，勞動力短缺才是短期內更為嚴峻的挑戰，並指出美光已承諾投入3億美元，透過學徒計畫、社區大學課程和大學項目來建構半導體人才管道。該公司預計其美國項目將創造超過9萬個就業機會，其中僅紐約州就佔5萬個。

出席澆築儀式的商務部長盧特尼克（Howard Lutnick）表示，川普政府的經濟政策正推動這項投資。「川普總統已明確表示，美國是你應該建設事業的地方，全世界正在迅速響應，」盧特尼克說。

美光還計劃投資高達30億美元以發展本土半導體供應鏈。該公司的長期目標是將其40%的DRAM在美國生產，改變目前依賴亞洲製造的局面——目前台積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.）和三星主導了晶片生產。在維吉尼亞州，美光已啟動其1-alpha DDR4技術的初期生產，應用於汽車、國防和醫療領域。

對投資人而言，時間點至關重要。美光股價在7月2日約報970美元，年初至今上漲244.51%，但較6月25日創下的52週高點1,255美元有所回落。此次回調反映了市場對記憶體週期永恆的疑問：這波榮景還能持續多久？梅赫羅特拉的答案是——從零開始的產能需要數年時間，而需求未見放緩跡象——這意味著當前的上升週期具備先前繁榮時期所缺乏的結構性基礎。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。