記憶體晶片股反彈3% 抄底買盤測試半導體板塊頹勢

美光科技（Micron Technology Inc.）與晟迪斯克（SanDisk Corp.）週一早盤走高，投資人趁自6月紀錄高點下跌30%之際進場，押注持續的DRAM短缺將壓過短期供過於求的擔憂。

美光與晟迪斯克週一盤前交易分別反彈3%及2.5%，抄底買盤在經歷一波慘烈拋售、記憶體晶片板塊自6月高點蒸發約30%市值後進場。

摩根大通（JPMorgan）跨資產策略師Fabio Bassi表示：「這波拋售看起來像是記憶體市場依然吃緊背景下的情緒波動。」他形容此次回調為暫時性修正，而非AI驅動漲勢的終結，並指出記憶體股已成為高度集中的持倉，微小的情緒變化就會引發劇烈波動。

費城半導體指數上週五收盤較6月高點下跌逾20%，正式進入熊市區域。美光上週收於848.34美元，較1,154美元的歷史高點回落26.5%；晟迪斯克則在2026年飆漲逾600%後，自6月25日高點回撤逾28%。此次拋售由多重催化劑引發：台積電600億至640億美元的資本支出指引、中國競爭對手長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies）計劃進行85.5億美元的首次公開發行，以及SK海力士（SK Hynix）於7月10日在那斯達克掛牌首日暴跌15%。

此次反彈將測試這波修正究竟是創造了進場良機，還是預示著這個以周期性聞名的產業即將進入下行循環——在記憶體領域，短缺往往引發過度建設，最終導致價格下跌。

短缺持續支撐多頭論述

KeyBanc分析師John Vinh表示，亞洲供應鏈檢查顯示「記憶體短缺依然持續」，吃緊狀態預計將延續至2027年。KeyBanc預測第三季DRAM價格將季增15%至20%，第四季再漲15%；而NAND價格本季可能飆升30%至40%，隨後再漲15%。

根據DA Davidson的數據，美光的主要收入來自DRAM及用於AI加速器的高頻寬記憶體，公司已將其業務模式轉向供應承諾協議，該協議目前約占總營收的50%。這些合約降低了公司對現貨價格波動的曝險，而現貨價格波動歷來是記憶體周期的決定性因素。

Evercore ISI分析師Amit Daryanani表示，晟迪斯克的長期客戶協議正在創造「新的記憶體典範」，在潔淨室產能依然受限的情況下，提高了營收和現金流的可預測性。晟迪斯克第三季營收達59.5億美元，年增251%，毛利率達78.4%，資本支出僅佔營收的1.4%——這種資本效率在以往的周期中簡直難以想像。

繁榮也帶來自身風險

支撐價格的同一波短缺，正鼓勵巨額投資，這可能為下一輪衰退埋下伏筆。三星（Samsung）與SK海力士已規劃數千億美元的新製造項目，而美光近期將其在美國的計劃投資額提高至2035年逾2,500億美元。摩根士丹利（Morgan Stanley）估計，到2028年，中國可能提供約30%的淨DRAM晶圓新增產能。

記憶體價格上漲也提高了AI基礎設施的成本，加劇了原本就被要求證明巨額資本支出回報的雲端巨頭們的壓力。據報導，雲端基礎設施提供商CoreWeave正在研究金融工具，以對沖潛在的記憶體晶片價格惡化風險——這種防禦性姿態引發了對短期定價動能的質疑。

儘管經歷此次回調，頂尖分析師依然看多。花旗（Citi）維持「買入」評級，目標價1,400美元，並將美光列入其90天利多催化觀察名單。TD Cowen預測目標價為1,600美元，理由是供應限制將延續至2027年之後，且第三季DDR平均售價漲幅將超過15%。瑞銀（UBS）預測DRAM供應不足至少將持續到2028年第二季，2027年需求年增36.2%，將超過僅19.3%的供應增長。

看空聲音依然存在。投資人麥可·貝瑞（Michael Burry）於7月1日在約1,052美元附近建立賣權部位，接近歷史高點；內部人持股處分也達到2010年以來的最高水準，董事Lynn Dugle於6月30日出售約150萬美元持股。

美光股價目前約為預期本益比的6倍，關鍵支撐位在813至825美元區間，該處為週線趨勢支撐與近期日線賣壓的交匯點。若收盤跌破786美元，將代表更令人擔憂的技術面發展。該公司下一次財報發布預定於9月22日。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。