記憶體晶片股在2026年創下史上最佳年度表現,然而由於投資者對該產業景氣循環的定價,估值仍維持壓縮狀態。
記憶體晶片股在2026年創下史上最佳年度表現,然而由於投資者對該產業景氣循環的定價,估值仍維持壓縮狀態。

記憶體晶片股在2026年創下史上最強勁的年度報酬,受惠於人工智慧對高頻寬記憶體的需求推升,然而根據6月18日發布的MarketWatch報導,由於市場對該產業反覆出現的景氣榮枯循環進行定價,估值仍低於歷史常態水準。
「記憶體股數十年來大致以同樣的節奏創造財富又失去財富——需求激增、供應湧入、價格崩跌、然後再次循環,」報導中如此描述這個定義該產業的結構性模式。
此波漲勢由需要高頻寬記憶體(HBM)的AI工作負載所推動,資料中心營運商競相爭奪三星電子、SK海力士及美光科技有限的供應。華碩全球技術行銷總監Sascha Krohn在2026年台北國際電腦展上表示,記憶體供應壓力已將價格推升至整個PC產業,且漲幅已持續擴散至更廣泛的硬體市場。
投資者面臨的問題是,這一輪週期能否打破以往的模式。隨著記憶體製造商擴充產能以滿足AI需求,未來12至18個月內供應過剩的風險,正是目前壓縮估值的主要因素。如果結構性的AI需求能將上升週期延續到超越歷史模式,當前的折價可能代表一個買入機會。如果週期遵循歷史劇本,那麼2026年表現最佳的股票可能面臨急劇逆轉。
AI需求重塑記憶體週期
傳統的記憶體週期是由PC和智慧型手機的換機需求驅動——可預測、有季節性且成長空間有限。AI推理和訓練工作負載改變了這種計算模式。最新一代高頻寬記憶體HBM3E在2026年大部分時間已銷售一空,製造商競相擴大產能。HBM市場領導者SK海力士以及於2026年初開始量產出貨HBM3E的美光科技,均已報告創紀錄的資料中心營收。
供應過剩風險使估值維持低檔
推動此波漲勢的相同動能,如今也在驅動估值折價。三星電子、SK海力士及美光均已宣布HBM和傳統DRAM的產能擴張計畫。台積電的CoWoS(晶圓上晶片封裝)產能——對於將HBM與AI加速器整合至關重要——正以可能超越需求的速度擴張,若AI資本支出成長放緩的話。費城半導體指數(涵蓋所有三大記憶體製造商)相較於記憶體次產業呈現溢價,反映出市場對當前獲利水準能否持續的懷疑態度。
對投資者而言,記憶體產業呈現一個經典的週期性問題。相對於更廣泛的半導體市場的折價,反映了週期風險。如果AI需求證實為結構性而非階段性,這些估值可能進一步上調。若非如此,獲利高峰可能已逼近。
本文僅供資訊參考,不構成投資建議。