記憶體巨頭轉向傳統 DRAM，推動價格上漲 20%

美銀證券（Bank of America）的一份報告顯示，記憶體晶片巨頭正將資金從高頻寬記憶體（HBM）重新分配到盈利能力更高的傳統 DRAM。此舉導致 2026 年第二季度 DDR5 合約價格飆升超過 20%，並使全球供應進一步吃緊。

這份於 4 月 24 日發布的報告指出，隨著半導體生產商拒絕長期合約以利用飆升的現貨價格，其投資邏輯正從「AI 溢價」轉向「傳統供應短缺」。這種轉向正在重塑三星、SK 海力士和美光等關鍵供應商的生產優先級。

價格壓力顯著，16Gb DDR5 的合約價格在 2025 年第四季度已攀升約 200%，在 2026 年第一季度上漲了 80%。美銀目前預測，本季度 NAND 合約價格將接近 30 美元，而 DDR5 現貨價格則維持在接近 25 年來的最高水平。

這一戰略轉向威脅到輝達（Nvidia）等公司用於 AI 加速器的 HBM 供應，同時推高了 PC 和智慧型手機製造商的成本。此外，三星可能從 5 月 21 日開始進行的為期 18 天的罷工，可能會進一步擾亂本已脆弱的供應鏈。

盈利能力勝過炒作

資本重新分配的動力源於簡單的經濟學原理：根據美銀的分析，LPDDR5 等傳統 DRAM 的盈利能力已超過 HBM。這一趨勢還受到下一代 HBM4 訂單略有放緩，以及在某些 AI 推理工作負載中越來越多地使用基於 NAND 的 KV 快取作為 HBM 部分替代方案的影響。因此，原定用於 HBM 擴產的資本現在正被轉回傳統 DRAM 甚至 NAND 的製造。這使得近期收入增長更多地依賴於傳統記憶體的銷售，而非下一波 AI 專用晶片。

供應風險持續至 2027 年

市場正面臨超出生產規劃範圍的供應限制。三星即將發生的勞資糾紛增加了一層不確定性，數萬名員工要求分享公司第一季度 380 億美元營業利潤中的更大份額。作為全球最大的記憶體製造商，三星任何形式的生產放緩都會產生立竿見影的連鎖反應，收緊從企業級伺服器到消費級設備的庫存。

長期供應緩解似乎也有限。美銀指出，原計劃於 2028 年投產的大多數新晶圓廠目前的預期產能僅為每月 5,000 至 6,000 片晶圓，遠低於最初預期。基於先進工藝節點的執行風險，這種保守的擴張支撐了對 2027 年記憶體定價的看漲前景。據 Omdia 預測，計算和數據存儲領域將領跑 2026 年半導體收入增長，同比飆升 90%，規模將超過 7000 億美元，而這幾乎完全是由記憶體價格上漲而非出貨量增長驅動的。

本文僅供參考，不構成投資建議。