DRAM ETF 暴跌 8%，記憶體類股遭遇猛烈拋售

Roundhill Memory ETF（DRAM）週一盤前交易重挫逾8%，跌至937美元，從今年高點以來的跌幅擴大至25%。韓國SK Hynix遭遇史上最大單日跌幅。

市場參與者指出，這波拋售源於上週五SK Hynix在那斯達克掛牌後的獲利了結，加上各界擔憂記憶體支出在歷經兩年AI熱潮後可能正接近景氣高峰。多數記憶體股今年在暴跌前漲幅已超過一倍。

SK Hynix股價在首爾暴跌15%，創下公司史上最大單日跌幅；三星電子下跌10%。日本Kioxia Holdings大跌12%。美國上市的記憶體類股也隨之走低：美光科技盤前下跌4%，SanDisk跌4.6%，Western Digital跌4.7%，Seagate Technology下跌3.45%。

儘管基本面依然強勁，此次拋售仍發生。美光最新一季營收飆升300%至400億美元，並預測第四財季營收將達500億美元。三星營業利潤達585億美元，營收為1120億美元。市場普遍預估美光全年營收將達1290億美元，年增246%；SanDisk預估將達200億美元，年增168%；Western Digital全年營收預估為128.7億美元。

240億美元ETF身陷風暴中心

Roundhill Memory ETF於4月推出，短短三個月內資產管理規模已成長至240億美元，創下ETF發行史上最成功的紀錄之一。其持股結構解釋了為何損失如此集中：三星占該基金25.55%，美光24.8%，SK Hynix 23.6%，三者合計約占74%的持倉。

該基金的快速成長反映了投資人對記憶體產業AI順風的熱情。高頻寬記憶體（HBM）是一種用於Nvidia AI加速器的專用DRAM，已成為SK Hynix與三星的關鍵成長動能，其價格遠高於傳統DRAM。近期一季，美國市場約貢獻SK Hynix 65%的營收，凸顯該產業對微軟、亞馬遜及Google等美國大型雲端業者AI基礎建設支出的高度依賴。

過去兩年，記憶體產業結構已發生劇烈變化。DRAM價格在2023年大部分時間處於週期性低迷，隨後因AI伺服器需求創造出全新高階記憶體產品類別而急劇反轉。HBM3及即將推出的HBM4世代需要台積電CoWoS等先進封裝技術，形成供應鏈瓶頸，使價格持續居高不下。SK Hynix作為HBM市場龍頭，是主要受益者，其HBM營收成長速度已超越傳統DRAM業務。

技術面暗示仍有下行空間

該ETF的四小時圖呈現頭肩頂型態，為一項看空的反轉訊號。目前已跌破頸線及50期移動平均線。下一個支撐位在50美元，若跌破此價位，將打開下探45美元的空間。

此次技術面破位與其他AI相關資產在長期上漲後修正的模式如出一轍。DRAM ETF自高點下跌25%，是自4月推出以來最大回撤，引發市場質疑記憶體週期是否比預期更早轉折。

對投資人而言，問題在於這究竟是買入機會，還是更深度修正的開端。記憶體基本面依然強勁——隨著記憶體價格在各大市場上漲，利潤率正在擴大。但技術面破位及拋售的同步性顯示，市場正在重新定價記憶體週期的持續時間。若能從50美元支撐位反彈，將證實過度反應的論點；若跌破該價位，則意味著景氣高峰恐慌並非杞人憂天。美光股價在AI成長預期的支撐下，本益比高於歷史均值，受到記憶體價格持續低迷的風險最大。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。