DRAM ETF 面臨2026年記憶體晶片價格的生死考驗

Roundhill Memory ETF自4月推出以來已飆升150%，但其命運如今取決於記憶體晶片價格能否將AI驅動的漲勢維持到年底。

記憶體晶片價格將決定Roundhill Memory ETF（芝加哥期權交易所代碼：DRAM）能否延續今年迄今150%的漲幅，抑或出現逆轉——這檔美國首檔純記憶體主題基金正進入關鍵的定價週期。

「DRAM和NAND的定價週期歷史上曾在一年內波動40%至60%，這波AI驅動的上行週期也不例外，」Arete Research半導體分析師Nam Hyung Kim表示。「問題在於HBM需求能否抵銷隨後通常出現的 commodity 記憶體下行趨勢。」

DRAM於4月2日推出，持有15檔股票，集中於三家公司——美光科技佔28.4%、SK海力士佔27.1%、三星電子佔19.5%。根據雅虎財經數據，該基金累計淨資產已達150億美元，並成為最快達到65億美元資產規模的ETF。其150.6%的回報率遠遠超過同期iShares半導體ETF（SOXX）的90%和VanEck半導體ETF（SMH）的68.8%。

推動DRAM上漲的集中持股結構同時也帶來脆弱性。如果記憶體價格下跌——正如2022年下行週期中美光營收蒸發40%那樣——該基金的重倉結構意味著單一持股的壞消息可能引發不成比例的損失。持有DRAM的投資者實際上是在對記憶體定價週期進行槓桿押注，幾乎沒有分散風險的緩衝。

HBM需求是最大變數

高頻寬記憶體已成為AI基礎設施建設中的瓶頸。HBM3E晶片每個堆疊提供每秒1.2 TB的頻寬，用於Nvidia的H200 GPU，而下一代HBM4則超過每秒3 TB。根據業績電話會議，SK海力士和美光均表示HBM產品的利潤溢價是標準DRAM的五倍。

向HBM4的轉型已迫使AI硬體製造商圍繞新記憶體架構重新設計系統，從而加速了需求。但記憶體製造商目前享有的溢價定價並非萬無一失。三星、SK海力士和美光均已宣布擴大HBM產能，這增加了2027年初供過於求的風險。

定價下行對DRAM意味著什麼

根據TrendForce數據，如果2022年記憶體修正重演——當時DRAM價格下跌45%，NAND價格下跌55%——DRAM的前幾大持股將受到最嚴重的打擊。美光約70%的收入來自DRAM產品，面臨最直接的風險。三星和SK海力士雖然在NAND和代工服務方面更加多元化，但仍將承受顯著的盈利壓力。

該基金0.65%的費用率與更廣泛的半導體ETF相比具有競爭力，但其缺乏對處理器或製造類股票的分散配置，意味著作為對沖行業特定下行風險的保護措施幾乎不存在。相比之下，SOXX和SMH持有Nvidia、台積電和ASML的倉位，提供對晶片設計和設備市場的曝險，這些領域在記憶體修正期間可能表現更佳。

對投資者而言，計算方式很直接：如果記憶體價格維持不變，DRAM在半導體ETF領域提供最高的上行空間；但如果價格轉跌，它也承載最高的下行風險。該基金基於持股追蹤盈利的55.4倍本益比，幾乎沒有容錯空間。任何HBM需求放緩或庫存水準上升的跡象，都可能引發估值重估，從而抹去今年迄今漲幅中的很大一部分。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。