重要要點: 定價權不再只是記憶體晶片的專利:隨著晶圓廠資本支出攀升至六百億美元歷史新高,設備與材料供應商正同步調漲價格。
重要要點: 定價權不再只是記憶體晶片的專利:隨著晶圓廠資本支出攀升至六百億美元歷史新高,設備與材料供應商正同步調漲價格。

全球半導體定價權正從記憶體向上游的設備與材料領域蔓延,台積電將2026年資本支出上調至600億至640億美元,設備製造商亦因需求優於預期而上調毛利率目標。
摩根大通分析師在8月17日的一份報告中指出,第二季財報季釋放出異常明確的利多訊號,需求強勁程度超越三個月前的預期,漲價範圍也從記憶體晶片擴展至半導體設備與材料。
台積電將2026日曆年度資本支出計畫上調約15%至600億至640億美元,中位數較去年同期成長52%,其中70%至80%用於先進製程技術。英特爾將其計畫上調至200億美元,成長11%,設備支出預計將飆升40%。SK海力士宣布資本支出達40兆韓元(約280億美元),成長45%,並提前其M15X產能爬坡時程。
摩根大通表示,資本支出激增與定價權表明,半導體設備產業的獲利彈性正被系統性地低估。東京威力科創預期毛利率將從4月至6月的47%升至2027財年初的50%,而泛林集團的目標則從52%上調至55%。應用材料的半導體系統毛利率已超過55%。
設備製造商已大幅上修晶圓廠設備(WFE)市場預測。東京威力科創目前預期2026年市場規模至少達1500億美元、2027年達1900億美元,高於先前1500億至1700億美元的預測區間。泛林集團與科磊均將2026年展望上調至1500億美元區間的低端,而SCREEN Holdings則預期至少達1400億美元,年增超過20%。泛林集團也將AI驅動的WFE需求預估從每1000億美元AI投資對應80億美元,上調至90億至100億美元。
更廣泛的市場也印證了此一趨勢。根據產業數據,2026年全球WFE支出預計將達1352億美元,較2025年的1157億美元成長16.9%,其中300mm DRAM設備支出成長29%至370億美元,3D NAND投資成長28%至140億美元。ASML在2025年底的未出貨訂單達388億歐元,第四季記憶體訂單已超過邏輯晶片訂單。
記憶體製造商正透過預付款的長期協議鎖定未來獲利。三星已與資料中心客戶敲定五份LTA,另有五份正處於最終協商階段,採用五年滾動合約。SK海力士已簽署十份五年期附預付款合約。SanDisk已簽署八份合約,其中三份來自美國超大規模雲端服務商,平均期限四年,涵蓋其2027財年50%的位元需求及2028財年約三分之二的需求。
最引人注目的細節在於:SanDisk管理層表示,即使在其浮動定價結構的最低價水準下,毛利率仍可達約80%。摩根大通指出,這意味即使在最悲觀的定價情境下,記憶體製造商的盈利能力仍能獲得強力支撐。
英特爾正試圖透過「架構定義+封裝代工」的輕資產模式重返記憶體市場,而非重資產的DRAM製造。執行長陳立武已聘請前SK海力士執行長李錫熙擔任代工業務執行副總裁,負責先進封裝與系統整合。李錫熙曾主導SK海力士在2020年以90億美元收購英特爾NAND事業,並協助將HBM業務打造至約60%的市占率。
英特爾計畫採用EMIB與Foveros封裝技術與SK海力士進行深度HBM合作,並與軟銀旗下的SAIMEMORY合作開發ZAM對角堆疊記憶體,目標約在2030年量產,生產成本為HBM的60%。但英特爾缺乏DRAM晶粒製造能力,需依賴外部採購,且其ZAM架構落後於三星預計在2028至2029年間推出的zHBM。
對投資人而言,設備相關個股提供最直接的投資敞口。ASML憑藉388億歐元的未出貨訂單提供最清晰的能見度,而應用材料與泛林集團則透過沉積與蝕刻製程提供對記憶體復甦更高的槓桿,但兩者都承受較高的中國風險。主要的週期性風險仍在於記憶體最終的過度投資,但目前支出集中於基礎設施與製程遷移,顯示產業尚未到達該階段。
本文僅供資訊參考,不構成投資建議。