中國發改委宣示晶片關鍵技術突破，2035年前培育千家試點企業

中國最高經濟規劃部門承諾在整個供應鏈突破積體電路核心技術，這項政策推動可能加速國產設備替代，並重塑全球半導體競爭格局。

國家發展和改革委員會在聲明中表示：「我們將發揮新型舉國體制優勢，在積體電路核心技術上實現全鏈條決定性突破，推動積體電路產業高品質發展。」聲明並列舉四大產業亮點：關鍵技術突破、企業競爭力增強、產能利用率提升及供應鏈安全改善。

此一宣示與「十五五」規劃（2026-2030年）高度契合，該規劃將科技自立自強置於中國產業戰略的核心位置。北京計劃到2035年在新興產業中培育約1,000家試點企業及100個試點園區，並將積體電路、航太、生物醫藥和智慧機器人列為優先發展領域。此舉出台之際，根據國家統計局數據，2026年前七個月中國積體電路產業利潤年增18.5倍，其中運算晶片和高頻寬記憶體為主要驅動力。

此事的影響遠超中國國境。北京已要求半導體製造商至少50%的新設備必須來自國內供應商，這項指令對應用材料在中國每年42億美元的收入，以及艾司摩爾微影系統的安裝基數構成壓力。高盛預測，中國半導體資本支出到2030年將達到820億美元，較其前一年預測成長79%；同時，中國晶片自給率在6月已達約70%，而2010年1月僅為38%。

國產設備製造商在指令壓力下搶佔市佔率

中國國產半導體設備產業已從少數小型開發計畫，成長為西方供應商的可靠替代選項。包括北方華創、中微公司、拓荊科技和華海清科在內的六家主要中國設備製造商合計銷售額，從2020年的7.48億美元增至2025年的76.08億美元，五年間成長超過十倍。同期，它們經調整後的全球晶圓製造設備市佔率從1.2%攀升至6.5%。

50%國產設備的要求為這些供應商在中國晶圓廠提供了受保護的認證環境，而美國出口管制則限制了它們在先進設施面對的外國競爭。上海埃斯海納電子科技集團已開始生產浸潤式深紫外微影系統，目標是2026年約五台、2027年20台，首批出貨計劃交付中芯國際、華虹和長鑫存儲。相比之下，艾司摩爾在2025年出貨了131台浸潤式DUV系統。

長鑫存儲顯示本土化進展程度

長鑫存儲目前是全球第四大DRAM生產商，僅次於SK海力士、三星電子和美光科技，其崛起展示了設備供應鏈成熟的速度。產業追蹤機構估計，國產設備目前約佔長鑫存儲生產線上安裝工具機的40%至50%，部分廠區核心蝕刻製程的國產化率超過60%。該公司產能在2026年第一季達到每月約29萬片晶圓，年底前可能接近35萬片，而上海和合肥的新廠到2030年可能將月產能推升至超過60萬片。

應用材料在2026會計年度第一季從中國取得20.95億美元收入，佔總營收的29.9%；第二季為20.87億美元，佔當季總營收的26.4%。該公司已預警，由於美國擴大出口管制，2026會計年度營收將面臨約6億美元的逆風。發改委承諾在核心技術上推動決定性突破，顯示這股替代趨勢只會加速。

對投資人而言，發改委的宣示強化了數據中已可見的結構性轉變。中國設備供應商不僅在受限制的先進晶圓廠中搶佔市佔率，更在西方公司仍可合法銷售的成熟製程和特殊應用市場日益取代外國工具機。應用材料在先進邏輯、全環繞閘極電晶體和HBM方面的AI驅動成長機會在中國以外仍保持完好，但中國成長最快的高階晶圓廠正成為國產製程設備的受保護認證市場。艾司摩爾則面臨埃斯海納DUV計畫更直接的威脅，儘管2026年計劃的系統僅為五台，代表的是認證機隊而非量產規模。

本文僅供參考，不構成投資建議。