Những điểm chính:
Cổ phiếu bộ nhớ dẫn đầu làn sóng bán tháo bán dẫn diện rộng vào thứ Tư khi NASDAQ mở cửa nửa cuối năm 2026 trong sắc đỏ, với Micron Technology giảm 8%, SanDisk lao dốc 10% và Western Digital mất 7%.
Cổ phiếu Micron Technology Inc. giảm 8% xuống 1.061,44 USD trong phiên giao dịch buổi sáng, trong khi SanDisk Corp. trượt 10% xuống 2.051,10 USD và Western Digital Corp. giảm 7% xuống 595,81 USD. Quỹ Roundhill Memory ETF, nắm giữ cả ba mã này cùng với các nhà sản xuất quốc tế Samsung, SK Hynix và Kioxia, cũng giao dịch thấp hơn. Chỉ số NASDAQ 100 giảm 1% vào giữa buổi sáng sau khi tăng 20% từ đầu năm đến hết ngày 30 tháng 6.
"Quy mô của đợt tăng giá DRAM trong bốn năm — 700% — đang buộc những người mua lớn phải xem xét lại kiến trúc bộ nhớ của họ," Citrini Research cho biết trong một báo cáo hôm thứ Tư, cảnh báo rằng các nhà cung cấp hạ tầng quy mô lớn và đối tác máy chủ của Nvidia có thể áp dụng các kỹ thuật nén bộ nhớ làm giảm nhu cầu. Một vụ kiện tập thể tại California được đệ trình vào tuần trước càng làm gia tăng áp lực, cáo buộc Samsung, SK Hynix và Micron phối hợp bất hợp pháp để hạn chế nguồn cung DRAM và thổi giá lên cao. Các công ty này chưa đưa ra bình luận về vụ kiện.
Đợt bán tháo đánh dấu sự đảo chiều mạnh đối với một ngành đã mang lại một trong những nửa đầu năm phi thường nhất trong lịch sử bán dẫn. Micron đã tăng 305% từ đầu năm đến thứ Ba, SanDisk bứt phá 858% và Western Digital tăng 271%. Những mức tăng đó được xây dựng trên một siêu chu kỳ bộ nhớ được thúc đẩy bởi nhu cầu AI về bộ nhớ băng thông cao, với Micron báo cáo doanh thu quý tài chính thứ ba đạt 41,5 tỷ USD, tăng 346% so với cùng kỳ năm ngoái, và dự báo doanh thu 50 tỷ USD trong quý hiện tại. Biên lợi nhuận gộp mở rộng lên 84,6% từ mức 37,7% một năm trước đó.
Nguyên nhân thúc đẩy đà giảm
Không có chất xúc tác đơn lẻ nào gây ra đà giảm hôm thứ Tư. Một số yếu tố hội tụ: tái cân bằng danh mục của các tổ chức đầu tư vào đầu nửa cuối năm sau những đợt tăng mạnh trong nửa đầu năm, xu hướng diều hâu từ Cục Dự trữ Liên bang Mỹ (Fed) và làn sóng luân chuyển rộng hơn ra khỏi các cổ phiếu công nghệ đã tăng cao. Chủ tịch Fed Cleveland Beth Hammack cho rằng Mỹ có thể cần lãi suất cao hơn, trong khi Chủ tịch Fed mới Kevin Warsh không đưa ra tín hiệu ôn hòa nào trong bài phát biểu tại diễn đàn chính sách của Ngân hàng Trung ương châu Âu ở Bồ Đào Nha.
Những cơn gió ngược vĩ mô đã tác động rộng khắp đến nhóm cổ phiếu bán dẫn, với Advanced Micro Devices và các nhà sản xuất thiết bị chế tạo wafer cũng giảm điểm. Cổ phiếu bộ nhớ bị ảnh hưởng nặng nề nhất do mức tăng giá cực cao từ đầu năm và hai yếu tố rủi ro đặc thù: vụ kiện DRAM và cảnh báo nhu cầu từ Citrini.
Luận điểm đầu tư tích cực vẫn còn nguyên vẹn
Luận điểm dài hạn đối với cổ phiếu bộ nhớ không bị phá vỡ chỉ sau một phiên giao dịch. Tổng giám đốc điều hành Micron Sanjay Mehrotra đã cho biết nguồn cung sẽ vẫn thắt chặt "sau năm 2026," và công ty có kế hoạch đầu tư khoảng 200 tỷ USD vào sản xuất và nghiên cứu, bao gồm các nhà máy mới ở Boise, Idaho và Syracuse, New York. HBM4 đang được sản xuất số lượng lớn cho nền tảng Vera Rubin của Nvidia, và Micron đã ký thỏa thuận khách hàng chiến lược kéo dài 5 năm đầu tiên.
Trong số 44 nhà phân tích theo dõi Micron, 39 người xếp hạng Mua hoặc Mua mạnh, với giá mục tiêu trung bình là 1.410,45 USD — ngụ ý tiềm năng tăng khoảng 33% so với mức giá phiên thứ Tư. Cổ phiếu hiện thấp hơn 15% so với mức đỉnh lịch sử 1.255 USD vào ngày 25 tháng 6.
Đối với các nhà đầu tư, rủi ro-phần thưởng đã thay đổi sau đợt tăng gấp 4 lần. Micron giao dịch ở bội số giá trên thu nhập phản ánh biên lợi nhuận đỉnh chu kỳ, và luận điểm tiêu cực — một chu kỳ suy thoái bộ nhớ, hiệu quả từ các nhà cung cấp hạ tầng quy mô lớn và chi tiêu vốn bùng nổ trên 25 tỷ USD trong năm tài chính 2026 — chỉ ra khả năng giảm 36% xuống còn 737,55 USD, theo mô hình của 24/7 Wall St. Các chất xúc tác tiếp theo là báo cáo việc làm tháng 6 vào cuối tuần này và kết quả quý tài chính thứ tư của SanDisk và Western Digital.
Bài viết này chỉ nhằm mục đích cung cấp thông tin và không cấu thành lời khuyên đầu tư.
