SK海力士考慮採用英特爾代工HBM4E基底晶片

SK海力士準備將部分基底晶片業務交給英特爾，而這塊業務自HBM4以來一直由台積電主導。

SK海力士正在評估採用英特爾代工生產其HBM4E記憶體中的基底晶片，此舉將打破台積電的壟斷地位，並可將成本降至其自產核心晶片的三至四倍以下。

SK海力士拒絕證實該計畫，表示其技術路線圖的細節「難以確認」，且「部分內容與事實不符」。

基底晶片是HBM堆疊底部的控制器晶片，負責處理連接GPU、CPU等外部處理器與上方堆疊DRAM晶片之間的高速介面。在HBM3E世代，SK海力士自行生產此零件。自HBM4開始，SK海力士將其外包給台積電，由台積電以12奈米級製程生產基底晶片。業界消息來源估計，台積電的HBM4基底晶片成本比SK海力士以自家10奈米級第五代（1b）製程生產的核心晶片高出三至四倍。這項負擔預計將隨HBM4E持續擴大，且由於HBM銷售透過長期供貨協議進行，SK海力士難以將更高的代工成本直接轉嫁給客戶。

引入英特爾作為第二供應商，將為SK海力士在定價和供應安全性上提供更大的議價空間，尤其是在客製化HBM——即針對個別客戶AI加速器架構量身打造的基底晶片——自HBM4起成為競爭主戰場之際。此舉也將為英特爾代工部門在記憶體市場中成長最快的領域打開立足點，而該領域目前由台積電作為唯一的外部基底晶片製造商。

成本計算說明了這項決策的迫切性。台積電為HBM4生產的12奈米基底晶片，其價格是SK海力士自家核心晶片的三至四倍，且隨著每一代邏輯功能要求愈來愈高，差距只會持續擴大。由於HBM主要透過長期供貨協議銷售，代工帳單無法直接轉嫁到產品價格上，這在SK海力士力圖在AI記憶體市場中保持對三星電子和美光的領先優勢之際，進一步壓縮了利潤空間。SK海力士已於6月向主要客戶出貨12層HBM4E樣品，該產品設計每針腳傳輸速度最高可達16 Gbps，功耗效率較前代提升超過20%。

第二代工廠降低單一供應商風險

除了成本考量，此舉的關鍵在於降低對單一供應商的依賴。客製化HBM——即基底晶片設計針對個別AI加速器的架構和性能需求進行匹配——是SK海力士自HBM4起的核心戰略。依賴單一代工廠將限制其服務廣泛AI晶片客戶的能力，從輝達到AMD及其他廠商。多供應商結構讓SK海力士能根據客戶需求和產能，在台積電與英特爾之間調配生產，同時增強公司在與雙方談判中的籌碼。

封裝技術可能是下一步

合作可能延伸至基底晶片製造以外的範疇。在矽谷高效能運算會議Hot Chips上，SK海力士美國封裝工程副總裁李在植表示，公司正在比較台積電的CoWoS-S和CoWoS-L與英特爾EMIB先進封裝方案。若SK海力士採用英特爾的EMIB技術，將深化雙方代工合作關係，並為英特爾在HBM供應鏈中開闢第二個收入來源。

SK海力士股價早盤下跌1.9%至1,621,000韓元，KOSPI指數則下跌2.5%。台積電股價下滑1.7%至新台幣2,380元。英特爾股價報89.47美元，下跌2.84%。該計畫目前仍在評估階段，尚未達成最終協議，因此英特爾參與生產的時間點和範圍仍不明確。對投資人而言，方向已經明確：多供應商基底晶片策略將強化SK海力士的成本優勢和談判實力，同時為英特爾代工部門提供一條進入HBM市場的可信通道，長期來看可能對台積電的定價形成壓力。

本文僅供參考，不構成投資建議。