三星HBM價格2027年可能翻倍，高盛韓國存儲專家電話會議透露

高盛韓國存儲專家預測，傳統DRAM價格將在第三和第四季度實現「雙位數百分比」的上漲，而隨著記憶體市場供應限制趨緊，HBM價格可能在2027年翻倍。

「目前超過一半的伺服器DRAM已由附帶『照付不議』條款的長期合約覆蓋，這賦予供應商前所未有的定價能力，」這位在電話會議紀要中未具名的專家表示。

高盛預測三星電子的HBM價格將在2027年年增87%，遠高於彭博共識預測的52%。該行維持對三星的買入評級，普通股12個月目標價為48萬韓元，優先股目標價為36萬韓元。

這一價格展望意味著記憶體產業經濟結構正在發生轉變。長期合約目前已鎖定超過一半的伺服器DRAM收入，降低了歷來打壓記憶體類股的週期性波動風險。如果HBM價格翻倍，三星記憶體部門——正與SK海力士及美光科技直接競爭輝達HBM供應合約——的獲利修正幅度可能超出當前市場共識。

專家指出，推動這項預測的供需動能屬於結構性而非週期性。產能擴張速度雖然高於歷史水準，但有效位元增長——即記憶體產出的實際增幅——卻低於歷史平均，因為HBM生產每單位消耗的晶圓產能高於傳統DRAM。每個HBM模組需要佔用更大比例的DRAM晶圓產能，從而將供應從傳統市場分流出去。這種動態形成了自我強化的價格底部：隨著更多晶圓產能轉向HBM，傳統DRAM的供應進一步收緊，支撐了專家預測的年底前雙位數價格漲幅。

中國競爭對手威脅仍然有限

中國記憶體製造商正在擴充產能，但專家評估其短期競爭風險較低。其生產良率與技術水準仍與產業領導者存在顯著差距，這意味著擴大的產能並不能轉化為同等的有效供應。高頻寬記憶體的技術差距尤為巨大，因為HBM需要先進的堆疊與封裝技術——包括矽穿孔與微凸塊互連——這些技術中國晶圓廠尚未掌握。對三星、SK海力士和美光而言，這意味著當前的定價能力短期至中期內不太可能受到新進入者的挑戰。

在技術路線圖方面，混合鍵合一項先進的晶片堆疊方法，可消除對矽穿孔的需求，實現更高的堆疊層數與更好的散熱性能——預計短期內不會被大規模採用。專家表示，要在大規模生產中實現足夠的良率，需要「相當長的時間與努力」。記憶體製造商正在探索包括無助焊劑鍵合在內的替代方案，同時逐步推進混合鍵合技術的開發。這項謹慎的時間表表明，目前使用微凸塊技術的HBM生產方法將至少持續到2027年，從而維持當前價格預測所依賴的成本結構。

投資啟示

三星電子目前被視為記憶體週期的投資標的，而專家電話會議的訊息顯示，這波上升週期仍有進一步上漲空間。高盛48萬韓元的目標價意味著較近期水準約有30%的上漲空間，前提是HBM價格能實現預測的漲幅。該行指出了三大關鍵風險：記憶體供需平衡急劇惡化、智慧型手機利潤率萎縮，以及行動有機發光二極體顯示器市占率流失。對投資者而言，關鍵變數在於HBM價格動能是否會加速超過52%的市場共識——若高盛87%的預測成真，三星可望成為記憶體類股中的最大受益者。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。