存储器芯片价格Q2飙升60%，AI需求推动创纪录涨势

2026年第二季度，DRAM和NAND合约价格预计环比上涨约60%，超出此前预测，原因是AI服务器需求吸收了全球最大存储器制造商的所有可用供应。

"上行周期比我们三个月前预测的更加强劲，这得益于持续的AI服务器采购和有限的晶圆产能，"Bernstein分析师Mark Li在6月2日的一份报告中表示。

按加权平均计算，DRAM合约价格环比上涨64%，其中移动DRAM飙升80%，消费级DRAM上涨85%。NAND价格环比上涨约60%，受移动NAND和SSD价格支撑。仅5月份，DDR4芯片价格环比上涨19%至25%。

这一价格飙涨推动美光科技市值首次突破1万亿美元，SK海力士也加入了万亿俱乐部。Bernstein维持对三星电子、SK海力士、美光和SanDisk的跑赢大盘评级，但警告称，消费需求破坏可能在下半年减缓价格增长。

服务器需求吸收了所有增量供应

服务器DRAM仍然是最紧张的细分市场。供应商已将产能从其他应用转移到服务器DRAM，HBM4量产的延迟释放了一些晶圆产能——但每一点增量都被超大规模云服务商的需求吸收。包括亚马逊云服务和微软Azure在内的美国云服务提供商已基本完成与存储器供应商的长期协议谈判，确保了优先分配权。中国云提供商仍在积极谈判，预计将获得较不利的条款。

移动DRAM价格涨幅最大，三星和美光要求智能手机OEM厂商接受80%以上的环比涨幅。SK海力士的初始报价较为温和，为55%至60%。但经过两个季度的激进涨价后，智能手机制造商正在减产。TrendForce预计2026年智能手机出货量将下降16%，移动DRAM价格增长预计将在下半年放缓至每季度0%至10%。

NAND晶圆现货价格5月份环比仅上涨1%至2%，较此前数月大幅放缓，原因是模组制造商对高价采购变得谨慎。现货价格仍比合约价格低约20%，表明合约价格进一步上涨的空间有限。PC DRAM第三季度价格增长预计环比为8%至13%，远低于第二季度46%的涨幅。

尽管价格创纪录，估值折价显现

尽管出现涨势，存储器股票的估值仍低于大盘。美光市盈率为17倍，SanDisk为27倍，西部数据为31倍，而标普500指数的市盈率为23倍。瑞银将美光的目标价从535美元上调至1625美元，意味着12个月内潜在市值达1.8万亿美元。巴克莱将SanDisk的目标价翻倍至2300美元。

持有主要存储器股票的Roundhill Memory ETF自4月推出以来，管理资产规模已飙升至150亿美元，反映出投资者对存储器敞口的兴趣。美光本财年营收预计将达到1100亿美元，下一财年达到1750亿美元，而SanDisk的营收预计将增长165%至200亿美元。

Bernstein预计存储器价格将在2027年下半年见顶，并在2028年日历年随着新产能上线开始正常化。主要风险在于，随着制造商提高产量以利用高价获利，市场可能比预期更早地从供应不足转向供应过剩——这一模式历来终结了每一轮存储器上行周期。对投资者而言，问题在于当前的估值折价是否足以补偿这个行业一直存在的周期性风险。

本文仅供参考，不构成投资建议。