AI 晶片擴產轉向封裝領域 CoWoS 月產能上看 26 萬片

AI 晶片的建置正從晶圓廠延伸至先進封裝、光學互連與測試領域，台積電 CoWoS 產能預估至 2027 年底將達到每月 26 萬片晶圓。

這一轉變反映出台積電講者在 SEMICON Taiwan 2026 所揭示的結構性失衡：AI 運算能力大約每兩年成長三倍，而 I/O 傳輸在同一期間僅成長 1.4 倍。台積電專案副處長陳明發在矽光子國際論壇上表示，這日漸擴大的差距使得光學互連成為突破系統級通訊瓶頸的關鍵，推動產業從前段晶片生產轉向全鏈路後段擴產。

瑞銀將 2027 年底 CoWoS 產能預估上調至每月 26 萬片晶圓，因台積電 5.5x 倍縮光罩（reticle）CoWoS 已進入量產，良率超過 98%。台積電計畫於 2028 年擴展至 14x 倍縮光罩，支援 20 層 HBM 堆疊，並於 2029 年導入 24 層 HBM。TrendForce 預估，台積電 CoWoS 月產能將於 2026 年內達到 12 萬至 14 萬片，加上 OSAT 夥伴每月額外貢獻 5 萬至 6 萬片，整體產業月產能將接近 20 萬片。

擴產行動已超出台積電自身的晶圓廠範圍。瑞銀指出，台積電對 2027 年下半年 CoWoS 擴產步調態度審慎，部分 CoW 外包訂單可能流向日月光（ASE）。日月光半導體資深副總經理洪松慶表示，公司正規劃在高雄大都會區設立七座先進封裝廠——其中楠梓四座、仁武兩座、路竹一座——以吸納這波需求。設備交期已延長至兩年，載板與 PCB 供應持續吃緊，使後段產能成為 AI 晶片供應的新瓶頸。

CoWoS 技術藍圖邁向 3D 系統整合

台積電 3DFabric 平台整合了 SoIC 3D 晶片堆疊、COUPE 矽光子與 CoWoS 先進封裝技術。單一 CoWoS 封裝內所整合的 AI 運算電晶體數量，預計將從 2024 年到 2029 年成長超過 48 倍，HBM 頻寬則增加 34 倍。公司 A14 邏輯製程目標是於 2029 年達成 4.5 微米鍵合間距。

面板級封裝（Panel-level packaging）同樣加速推進。瑞銀指出，設備供應商對台積電 CoPoS（310 乘 310 毫米）量產的信心逐漸增強，公司目標於 2027 年中完成製程與設備選定，2028 年進入量產。

在光學互連方面，台積電 COUPE 平台分三階段推進：COUPE on PCB 瞄準 1.6 Tbps OSFP 光模組、COUPE on Substrate 與 CoWoS 整合並提供 6.4 Tbps 傳輸、COUPE on Interposer 則鎖定 12.8 Tbps 並直接整合至處理器封裝內的光引擎。公司計畫於 2026 年達成每通道 200 Gbps，至 2030 年提升至 400 Gbps。

CPO 測試浮現為下一個產能瓶頸

隨著 CPO 從技術驗證邁向量產，瓶頸正從「能否實現」轉向「能否在規模化下可靠實現」。花旗的調查聚焦於 CPO 製造中的主動耦合與自動化鍵合，此過程涉及 EIC、PIC、透鏡及光纖/FAU 元件的整合。

野村則將測試標示為關鍵瓶頸。Insertion 2——即 EIC 與 PIC 晶圓鍵合後的測試步驟——目前的產出率偏低，引發業界是否應予以跳過的討論。野村表示，雖然移除 Insertion 2 可縮短生產週期，但部分測試涵蓋範圍無法在後續製程中重現，因此該步驟對良率評估與供應鏈責任歸屬仍具價值。

瑞銀預期業界將簡化 Insertion 2，同時提高對測試個別光引擎之 Insertion 3 的依賴。測試設備廠致茂電子（Chroma ATE）提出「中移測試」（shift-to-middle）方案：對高密度擴展交換器而言，任何單一光引擎的缺陷都可能導致整個 CoWoS 級封裝報廢，因此在 Insertion 3 進行 100% 已知良品驗證，可能成為量產的必要條件。

台積電副總經理徐國晉示警，雷射、光纖、光纖連接器及產品測試正成為大規模光學部署的真正瓶頸。矽光子預期將於 2027 年前市占率突破 50%，光收發器銷售額 2025 年成長 25%，2026 年預期再成長 50%。

對投資人而言，後段擴產週期利好台積電（2330.TW）、日月光及致茂電子等測試設備供應商。設備交期拉長至兩年，顯示需求持續強勁；而朝向 3D 系統整合與光學互連的轉變，則將 AI 半導體資本支出週期延伸至封裝、光子及測試等過往僅屬晶圓生產次要環節的領域。

本文僅供資訊參考之用，不構成投資建議。