SK하이닉스, HBM4E 샘플 출하…16Gbps 속도·20% 효율 개선

SK하이닉스(SK Hynix Inc.)가 12단 HBM4E 메모리 칩 샘플을 주요 고객사에 출하하며 데이터 속도를 핀당 16Gbps로 끌어올리고, 이전 세대 고대역폭 메모리(HBM) 대비 전력 소비를 20% 이상 절감하는 데 성공했다.

"당사는 첨단 HBM 개발 및 생산 역량을 바탕으로 12단 HBM4E 샘플을 계획대로 고객사에 제공할 수 있었다"고 안현 SK하이닉스 사장(최고개발책임자·CDO)은 밝혔다. "파트너사들과의 긴밀한 협력을 통해 시장에서 필요한 가치를 제공하고, 풀스택 AI 메모리 크리에이터로서 기술 리더십을 강화해 나가겠다."

12단 HBM4E는 Advanced MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill) 공정을 적용해 스택당 48GB 용량을 구현했다. MR-MUF는 적층된 칩 사이에 액상 보호재를 주입하는 공정이다. 회사 측은 이전 세대인 HBM4 대비 내열성을 17% 개선해, 열 관리가 병목으로 작용하는 고성능 컴퓨팅 환경에서도 안정적인 작동이 가능하다고 밝혔다. 또한 인터페이스 및 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연 시간도 단축했다.

HBM 칩은 AI 가속기의 핵심 부품으로, 대규모 언어 모델(LLM)을 훈련하고 실행하는 데 필요한 막대한 데이터 처리량을 담당한다. SK하이닉스는 엔비디아(Nvidia Corp.)의 주요 HBM 공급업체로, HBM3, HBM3E, HBM4 세대에 걸쳐 양산을 성공적으로 확대해 왔다. 이번 HBM4E 샘플 출하는 삼성전자(Samsung Electronics Co.)와 마이크론 테크놀로지(Micron Technology Inc.)가 AI 메모리 시장 점유율을 두고 경쟁하는 가운데 나왔다. AI 메모리 시장은 반도체 업계에서 가장 빠르게 성장하는 분야 중 하나로 자리잡고 있다.

AI 메모리 경쟁 구도

HBM4E의 핀 속도 16Gbps와 이전 모델 대비 20%의 전력 효율 개선은 SK하이닉스가 차세대 AI 인프라 구축 경쟁에서 잠재적 우위를 확보할 수 있게 해준다. 엔비디아의 현세대 블랙웰(Blackwell) 및 차세대 루빈(Rubin) 아키텍처는 연산 코어에 데이터를 공급하기 위해 고대역폭 메모리에 의존한다. 지연 시간이나 대역폭 병목은 학습 처리량과 추론 비용(토큰당 비용)에 직접적인 영향을 미친다. SK하이닉스는 파트너사들과 협력해 적시에 양산을 준비할 것이라고 밝혔으나, 구체적인 일정이나 샘플을 인도받은 고객사는 공개하지 않았다.

투자 관점

SK하이닉스 주식은 한국거래소(000660.KS)에 상장돼 있으며, 하이퍼스케일러들이 데이터센터 확장에 대규모 자본을 투입하면서 AI 메모리 호황의 수혜를 입고 있다. 이번 HBM4E 샘플의 계획된 출하는 삼성전자 및 마이크론을 상대로 한 SK하이닉스의 리더십을 재확인해준다. 두 경쟁사 모두 차세대 HBM 제품의 엔비디아 퀄리피케이션(승인)을 위해 경쟁하고 있다. SK하이닉스가 선두 공급사 지위를 유지할 경우, 2027년 업계 전망치 기준 약 300억 달러(약 40조 원) 이상으로 추정되는 HBM 시장의 대부분을 차지할 수 있다. 주요 리스크 요인은 삼성전자의 HBM4E 분야 공격적 진출과 엔비디아의 공급사 배분 전략 변화 가능성이다.

본 문서는 정보 제공 목적으로만 작성되었으며 투자 조언을 구성하지 않습니다.