삼성전자, HBM 개발 주기 1년으로 단축... 엔비디아 사이클에 맞춘다

삼성전자가 고대역폭 메모리(HBM) 개발 주기를 2년에서 1년으로 대폭 단축합니다. 이는 엔비디아(Nvidia Corp.)와 같은 핵심 고객사의 연간 출시 일정에 맞추고 SK하이닉스의 시장 지배력에 도전하기 위한 전략적 변화입니다. 이번 조치는 치열한 AI 메모리 칩 경쟁에서 삼성전자의 민첩성을 높이기 위해 설계되었습니다.

삼성 내부 계획에 정통한 한 소식통은 부산일보에 "회사는 엔비디아와 같은 주요 고객사의 새로운 AI 가속기 출시 리듬에 맞춰 매년 차세대 HBM을 출시하는 계획을 수립하고 실행 중이다"라고 전했습니다.

그동안 삼성은 HBM 세대 교체에 약 2년의 주기를 적용해 왔습니다. 현재 양산 중인 제품은 HBM3E이며, 차세대 제품인 HBM4는 엔비디아의 베라 루빈(Vera Rubin) 플랫폼 및 AMD의 인스팅트(Instinct) MI400 시리즈와 같은 새로운 AI 가속기와 함께 출시될 것으로 예상됩니다. 그러나 AI 칩 거물들이 현재 연간 업그레이드 주기를 유지함에 따라, 2년의 주기는 메모리 공급업체가 고객의 요구보다 한 발 뒤처지게 만들 위험이 있습니다.

이러한 가속화는 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론 테크놀로지가 치열하게 경쟁하고 있는 맞춤형 HBM 시장에서 삼성이 더 큰 점유율을 확보하는 데 매우 중요합니다. 주요 구매자와 로드맵을 직접 일치시킴으로써 삼성은 AI 하드웨어 공급망에 더 깊이 파고들어 향후 가속기 세대에서 제외될 위험을 줄일 수 있습니다.

AI 가속기 군비 경쟁과의 보조 맞추기

이러한 변화의 주요 동인은 AI 가속기 제조업체들이 설정한 눈부신 혁신 속도입니다. 엔비디아와 같은 기업들이 연간 제품 갱신 주기로 이동함에 따라, 그들은 보조를 맞출 수 있는 메모리 솔루션을 요구하고 있습니다. 이러한 흐름을 맞추지 못하는 공급업체는 주요 설계 수주 실패를 포함한 심각한 비즈니스 위험에 직면하게 됩니다. HBM 개발 일정을 1년으로 압축하기로 한 삼성의 결정은 이러한 시장 현실에 대한 직접적인 대응이며, 자사의 메모리 기술이 지원하는 프로세서와 보조를 맞춰 진화하도록 보장합니다.

이러한 전략적 피벗은 삼성의 상당한 수직 계열화 장점에 의해 뒷받침됩니다. 삼성은 기본 로직 다이 제조부터 메모리 적층 및 최종 패키징에 이르기까지 전체 생산 공정을 제어합니다. 외부 공급업체에 대한 의존도를 없애는 이러한 내부 역량은 개발 일정을 압축하고 생산의 각 단계가 조화롭게 진행되도록 하는 데 매우 중요합니다. 하이브리드 본딩과 같은 첨단 기술은 HBM5 및 기타 맞춤형 솔루션을 포함한 미래 제품의 핵심 동력이 될 것으로 예상됩니다.

실지 회복을 위한 맞춤형 시장 공략

분석가들은 가속화된 1년 주기가 삼성이 맞춤형 HBM5 솔루션 시장에서 중요한 선점자 우위를 점하게 해줄 것이라고 제안합니다. 대형 IT 기업들이 자체 제품 개발 기간을 단축하고 공급망 효율성을 높이려 함에 따라, 더 빠르고 유연한 반복을 제공할 수 있는 메모리 공급업체는 매우 매력적인 파트너가 됩니다.

이 새로운 전략의 첫 번째 시험대는 올해 하반기 샘플 테스트가 예정된 삼성의 HBM4E가 될 것으로 알려졌습니다. 현재 SK하이닉스가 엔비디아와의 깊은 관계를 통해 HBM 시장을 주도하고 있지만, 삼성의 공격적인 새로운 로드맵은 시장 점유율을 높이기 위해 적극적으로 경쟁하겠다는 의지를 나타냅니다. 이 전략의 성공 여부는 궁극적으로 차세대 계약을 따내고 고성능 메모리 시장의 선두 자리를 재탈환할 수 있는 능력에 의해 측정될 것입니다.

이 기사는 정보 제공 목적으로만 작성되었으며 투자 조언을 구성하지 않습니다.