Samsung Electronics a commencé à expédier ses puces mémoire HBM3E à 12 couches le 28 mai, défiant directement l'avance de Micron sur le marché de la mémoire à large bande passante qui alimente les accélérateurs IA de Nvidia.
Samsung Electronics a commencé à expédier ses puces mémoire HBM3E à 12 couches le 28 mai, défiant directement l'avance de Micron sur le marché de la mémoire à large bande passante qui alimente les accélérateurs IA de Nvidia.

Samsung Electronics a commencé à expédier ses puces mémoire HBM3E à 12 couches le 28 mai, défiant directement l'avance de Micron sur le marché de la mémoire à large bande passante qui alimente les accélérateurs IA de Nvidia.
Samsung Electronics Co. a expédié le 28 mai ses premières puces mémoire HBM3E à 12 couches, intensifiant une bataille à trois avec Micron Technology Inc. et SK Hynix Inc. pour la domination du marché de la mémoire IA, estimé à 40 milliards de dollars.
« Il s'agit du produit HBM à la plus haute capacité en production de masse, offrant aux clients IA 50 % de mémoire supplémentaire par pile », a déclaré Lee Jung-bae, vice-président exécutif de la planification des produits mémoire chez Samsung, dans un communiqué.
Selon Samsung, les puces HBM3E à 12 couches offrent 36 gigaoctets de capacité par pile avec une bande passante dépassant 1,2 téraoctet par seconde. Cela se compare au HBM3E à 8 couches de Micron, qui offre 24 Go par pile et dont les expéditions en volume ont débuté début 2025. Le produit de Samsung utilise un collage par film non conducteur à compression thermique, une technique d'encapsulation qui réduit l'épaisseur des couches de 20 % par rapport aux méthodes conventionnelles.
Ce calendrier place Samsung en avance dans la course au HBM, menaçant la récente domination de Micron. Les actions de Micron, qui ont plus que doublé au cours des 12 derniers mois grâce à la demande de mémoire IA, font face à une pression renouvelée alors que Samsung et SK Hynix accélèrent le déploiement de leurs produits concurrents. Les expéditions de HBM de Samsung interviennent alors que Nvidia Corp. — le plus grand consommateur de HBM — prévoit d'investir 150 milliards de dollars par an dans l'écosystème IA de Taïwan, a déclaré le PDG Jensen Huang cette semaine.
Le marché du HBM s'emballe alors que la demande IA explose
La mémoire à large bande passante est devenue l'un des segments les plus disputés des semi-conducteurs, les trois principaux fabricants de mémoire se livrant une course pour approvisionner les accélérateurs H200 et B100 de Nvidia. Le HBM empile verticalement plusieurs puces DRAM, connectées par des vias traversants en silicium, pour offrir le débit de données massif nécessaire à l'entraînement des grands modèles de langage.
Le HBM3E à 12 couches de Samsung entre sur un marché où l'offre a constamment été inférieure à la demande. Micron a déclaré en mars que son approvisionnement en HBM pour 2025 était déjà épuisé, et SK Hynix — le premier à expédier le HBM3E en volume — fonctionne à pleine capacité depuis fin 2024. L'ajout d'un troisième fournisseur qualifié pourrait atténuer la pression sur les prix pour Nvidia et d'autres acheteurs de puces IA, tout en comprimant les marges des fabricants de mémoire.
Le fabricant de puces sud-coréen a également résolu une perturbation potentielle la semaine dernière en concluant un accord sans précédent avec son syndicat, évitant une grève grâce à la promesse de primes lucratives pour les travailleurs des puces mémoire. Cet accord garantit la stabilité de la production pendant la phase critique de montée en puissance du HBM.
Impact sur les investissements
Pour les investisseurs, la course au HBM introduit des forces concurrentes. L'entrée de Samsung en tant que fournisseur de volume pourrait élargir le marché total adressable pour le HBM — projeté à 40 milliards de dollars d'ici 2027, selon les estimations du secteur — en offrant à Nvidia et aux autres concepteurs de puces IA une plus grande flexibilité d'approvisionnement. Mais elle menace également le pouvoir de fixation des prix dont Micron et SK Hynix ont bénéficié pendant la période de pénurie d'offre.
Micron se négocie à environ 12 fois les bénéfices à terme, une décote par rapport à la moyenne de 18 fois de l'indice Philadelphia Semiconductor, reflétant la prudence des investisseurs face à la pression concurrentielle. La division des puces mémoire de Samsung, qui est redevenue rentable début 2025 après un ralentissement prolongé, est désormais confrontée au défi de convertir le volume de HBM en une expansion durable des marges.
Cet article est fourni à titre informatif uniquement et ne constitue pas un conseil en investissement.