英伟达承诺为Vera Rubin平台无限量购买DRAM
英伟达首席执行官黄仁勋在摩根士丹利科技大会上向内存芯片制造商发出了明确指令:英伟达将购买他们能生产的每一颗DRAM芯片。这项激进的采购策略旨在为公司即将推出的Vera Rubin AI平台 확보 海量内存资源,标志着AI硬件军备竞赛的升级。
黄仁勋解释说,在数据中心资源(如土地和电力)受限的环境下,客户有动力部署最强大的计算解决方案以最大限度地发挥其投资效益。这种动态使得确保高规格内存的稳定供应成为英伟达关键的战略优先事项,即使内存价格上涨,公司也将继续积极采购。
下一代AI芯片将需要288GB的先进HBM4内存
对内存的永不满足的需求根植于英伟达下一代加速器的架构。尽管公司当前的GB300平台已经支持288GB的大容量高带宽内存(HBM),比之前的GB200代的192GB有了显著提升,但技术要求将进一步增强。即将推出的Vera Rubin平台将保持288GB的容量,但将从当前的HBM3E标准过渡到更先进的HBM4。
向HBM4的转变是导致供应紧张的关键因素。HBM4内存采用16层堆叠设计,比HBM3E的12层设计制造起来更复杂。更高的复杂性增加了生产失败率,这意味着生产每颗功能正常的HBM4芯片需要消耗更多的DRAM晶圆。这一技术飞跃将进一步加剧全球高性能内存的供应紧张。
内存制造商因AI需求挤压消费级供应而获益
英伟达对内存的巨大需求的主要受益者是全球三大DRAM制造商:三星、SK海力士和美光。尽管这三家公司都在增加产量,但它们的重点是高利润的HBM和企业级DRAM,以服务利润丰厚的AI数据中心市场。分析师认为,这一转变将带来显著的利润率扩张,Stifel分析师Brian Chin预计服务器DDR5产品的毛利率可能超过80%。
这一战略重点预计将产生显著的连锁反应。AI相关内存的优先生产预计将导致消费级DRAM市场在未来至少一年内出现供应短缺,影响个人电脑和其他消费电子产品的内存可用性和成本。与此同时,紧张的供需平衡预计将推动HBM、LPDDR4、LPDDR5以及即将推出的DDR6标准的价格持续上涨,这也将使英伟达的核心服务器组装合作伙伴,如富士康、广达和纬创受益。