Edgen Stock·Mar 05 2026, 02:59关于英伟达将开发基于SRAM的推理芯片的传闻，引发了韩国存储芯片股短暂而剧烈的抛售。投资者最初担心这项技术会取代HBM的需求，但在分析确认SRAM服务于不同的、高成本、低延迟的细分市场后，市场迅速扭转，最终认为这一发展将扩大整个存储器市场。
一份关于英伟达计划在其三月GTC大会上发布使用Groq片上SRAM架构的新AI推理芯片的报告，在韩国股市引发了冲击波。投资者对这一消息的反应是积极抛售存储芯片股，原因是担心转向SRAM会侵蚀对高带宽内存（HBM）和DRAM的需求，而HBM和DRAM是三星电子和SK海力士等巨头的主要产品。这种抛售压力导致韩国基准KOSPI指数在两天内下跌超过10%，创下2008年以来最严重的跌幅。
然而，这次下跌是短暂的。随着市场分析澄清了SRAM技术的技术和经济现实，市场出现了强劲反弹。KOSPI指数回升11%，而作为恐慌中心的SK海力士和三星电子的股价分别飙升15%和13%，扭转了此前的损失。
市场最初的恐慌源于对存储器技术的基本误解，KIS分析师指出这是一种“对存储器的糟糕理解”。尽管SRAM在访问速度方面具有优势，但与DRAM相比，其物理密度较低，生产成本也显著更高。在相同的存储容量下，SRAM芯片所需的硅片面积是DRAM芯片的五到十倍，这使得它在大规模AI模型中作为主要存储解决方案的成本过高。
历史上，SRAM的作用仅限于对极低延迟要求苛刻的应用，例如CPU缓存或片上缓冲区。它并非为存储训练和运行大型AI模型所需的庞大数据集而设计，HBM和DRAM因其卓越的密度和成本效益而在此方面表现出色。
英伟达对SRAM架构的探索并非威胁，而是一种优化特定高价值AI工作负载性能的战略举措。这项技术非常适合需要实时响应和最小数据移动的应用，例如机器人、自动驾驶和专业数据中心推理任务。这种趋势已在实践中，OpenAI正在部署Cerebras的SRAM芯片以提供高价推理服务。
SRAM解决方案的采用预计将创建一个更复杂、多层次的存储器格局。在这种未来的层级结构中，SRAM将服务于超低延迟细分市场，而HBM和DRAM仍将是用于大规模模型训练和通用服务器的主力。分析师总结认为，这种多样化最终将扩大整个存储器行业的总目标市场（TAM），创造新的增长机会。
