存储芯片制造商SK海力士证实，受AI相关需求的爆炸式增长和物理生产限制影响，2026年将面临严重的供应短缺。该公司在2月20日的一次投资者会议上表示，今年无法完全满足任何客户的需求，巩固了卖方市场地位，使得价格上涨不可避免。
在2月20日与高盛举行的一次虚拟投资者会议上，SK海力士向市场发出了一个严峻的信息：今年无法完全满足任何客户的内存需求。该公司将短缺归因于AI客户不懈的需求以及物理供应瓶颈（包括整个行业有限的洁净室空间）的综合影响。这种供需失衡已将市场主导权牢牢地转移到供应商手中。
SK海力士指出，其自身的DRAM和NAND库存已处于仅够维持四周的紧张水平，并预计在全年将进一步下降。该公司驳斥了客户为确保更多芯片而重复预订订单的风险，指出客户理解短期内生产能力是固定的，并且此类行为只会导致价格上涨。
供需失衡正直接转化为内存组件价格的持续上涨。SK海力士明确表示，预计内存价格将在2026年全年持续上涨。这一趋势得益于整个供应链的低库存水平，其中服务器客户的库存刚刚达到健康水平，而PC和移动客户的库存正在下降。
这种动态增强了SK海力士的议价能力，使其能够与主要客户就多年期长期合同进行谈判。此举标志着市场结构性转变，买方优先考虑确保长期供应稳定性，而非现货市场价格谈判。
对于备受追捧的高带宽内存（HBM），SK海力士确认其2026年的生产能力已全部售罄。尽管这意味着2026年的分配已确定，但该公司认为当前市场紧张状况带来了战略优势。传统DRAM的严重短缺为SK海力士提供了强大的议价筹码，以确保2027年HBM业务获得更优惠的条款。
尽管今年的资本支出将增加，但SK海力士强调将保持纪律性，主要将投资集中在HBM和传统DRAM上。该公司今年将重点提升HBM3E和HBM4的1b纳米制程，同时到年底将超过一半的传统DRAM生产转移到更先进的1c纳米节点。1c纳米制程在HBM上的大规模应用计划于2027年进行。
