关键要点
- 全球存储芯片股在5月6日集体上涨,在港上市的澜起科技大涨8.21%,美、韩同行亦表现强劲。
- 此次上涨由高带宽内存(HBM)和NAND闪存的结构性短缺驱动,这些是构建AI基础设施的关键组件。
- 5月6日涨幅居前个股:
- 美光 (MU): +11.06%
- 英特尔 (INTC): +12.92%
- 闪迪 (SNDK): +11.98%
- 三星 (SSNLF): +9%
关键要点

全球半导体存储芯片股的涨势在5月6日加速。受全球范围内人工智能组件需求激增的推动,在港上市的澜起科技(06809.HK)收盘上涨8.21%,推动芯片制造商股价再创新高。
“市场反映出一种观点,即内存在AI基础设施堆栈中的地位可能是结构性的,而非周期性的,”Roundhill Investments首席执行官戴夫·马扎(Dave Mazza)在评论该板块走势时表示。
亚洲市场的变动是更广泛趋势的一部分。美国存储芯片制造商美光科技上涨11.06%,英特尔大涨12.92%。纯NAND闪存生产商闪迪股价攀升11.98%。这股热潮还带动韩国综合股价指数(Kospi)上涨超过6%,当地巨头三星电子和SK海力士涨幅均超过9%,外国投资者净买入 21 亿美元的Kospi股票。韩元兑美元汇率上涨超过1%,成为当日亚洲表现最好的货币。
用于训练和运行人工智能模型的存储芯片需求旺盛,导致供需失衡,预计这一状况将持续数年。市场研究机构TrendForce预计,到2026年底,由于手机需要更多空间进行本地AI处理,部分设备配置将会消失。而木星资产管理(Jupiter Asset Management)的分析师指出,存储市场在2027年之前都将处于供不应求的状态。
英伟达首席执行官黄仁勋称AI基础设施建设为“人类历史上最大规模的基础设施建设”,这需要海量的高性能内存。高带宽内存(HBM)与英伟达和AMD的AI加速器堆叠在一起,为训练大型模型提供必要的带宽;而NAND闪存则用于AI数据中心所需的海量存储池。这为DRAM和NAND创造了双重需求冲击,仅在2026年第一季度,NAND闪存价格就上涨了60%。
作为全球仅有的三家HBM供应商之一,美光已暗示中期内只能满足50%至三分之二的客户需求,订单已排至2027年。这种结构性稀缺使该公司能够实现近75%的历史最高毛利率,并给出了进一步扩大的指引。
此次涨势带来了一些令人惊叹的企业业绩。于2025年2月从西部数据分拆出来的闪迪(SNDK),其股价在过去一年上涨了3,314%。该公司的毛利率在一年内从22.5%扩张至78.4%,这种扩张水平在商品化硬件业务中几乎闻所未闻。该公司报告第三财季营收为 59.5 亿美元,同比增长251%。
与此同时,三星电子最近也凭借与AI需求相关的股价上涨,加入了 1 万亿美元市值俱乐部。该公司的半导体部门在3月季度实现了历史性利润,增幅达48倍,超出预期。
爆发性的走势已将许多芯片制造商的估值推向历史高位。美光在一年上涨600%后,其滚动市盈率约为26倍,而闪迪的市盈率达到41倍,远高于其历史中位数。投资者的关键问题在于,当前的这种需求是代表持久的结构性转变,还是仅仅是另一个繁荣-萧条周期的上升阶段。
超大规模客户似乎正在押注结构性转变。谷歌已承诺到2026年投入高达 1850 亿美元用于AI基础设施建设,而Meta和微软都将存储价格上涨列为上调资本支出指引的主要原因。随着闪迪签署价值超过 110 亿美元的多年度供货协议,以及美光的HBM产能被预订至未来数年,市场正预期存储行业将迎来持续走强的时期。
本文仅供参考,不构成投资建议。