DRAM ETF 36天吸金65亿美元创历史记录

Roundhill Memory ETF (DRAM) 打破了资金流入纪录，在短短 36 天内积累了超过 65 亿美元的资产。这一增长主要源于投资者对人工智能产业至关重要的存储芯片生产商的兴趣激增。

彭博社高级 ETF 分析师 Eric Balchunas 在社交媒体帖文中表示：“DRAM ETF 的增长具有爆发性，达到 65 亿美元的速度比以往任何 ETF 都快，包括现货比特币基金。”

在该基金资产激增之前，其价格在单日内上涨了 13%，且在上周五获得了约 10 亿美元的新增资本。这种迅速的积累速度超过了之前的纪录保持者 IBIT 现货比特币 ETF。这一反弹反映了更广泛的“存储芯片超级周期”，因为为了驱动 AI 应用，市场对美光 (Micron) 和 SK 海力士 (SK Hynix) 等公司生产的高带宽内存 (HBM) 芯片的需求正在飙升。

这种对主题型 ETF 的前所未有的需求，凸显了投资者关注点的重大转变——除了头条新闻中的 GPU 制造商外，半导体供应链也备受关注。DRAM 的成功可能会引发一波全新的、针对性极强的主题基金热潮，并进一步引导资本流向存储芯片行业，随着 AI 建设的持续，这可能会推高行业估值。

本文仅供参考，不构成投资建议。