費城半導體指數在跌破 12,000 點後,從 10,445 美元的低點反彈,艾略特波浪分析預測將回升至 13,500 美元的阻力區。
費城半導體指數在跌破 12,000 點後,從 10,445 美元的低點反彈,艾略特波浪分析預測將回升至 13,500 美元的阻力區。

費城半導體指數在跌破 12,000 點後,從 10,445 美元的低點反彈,艾略特波浪分析預測將回升至 13,500 美元的阻力區。
費城半導體指數在跌破 12,000 點後,從 10,445 美元的低點反彈,技術分析目標指向回升至 13,500 美元。
「一旦對角線型態完成,我們可以預期價格將回撤至型態的起點,」Intelligent Investing, LLC 創辦人 Ter Schure 博士表示。「我們在 13,500 美元區域看到了強烈的匯聚訊號。」
該指數在自 6 月歷史高點以來的領先對角線波浪結構之 2.00 斐波那契擴展位觸底。第 3 波和第 5 波分別終止於 1.62 和 2.00 擴展位。先前跌勢的 B 波回撤通常會回升 50% 至 76.4%,目標區間落在 12,550 美元至 13,660 美元。
持續站穩 13,500 美元上方將確認反彈情境,並可能帶動半導體 ETF 及相關股票進一步上漲。若在此水準遭到壓回,則意味著更廣泛的下跌趨勢將恢復,下一個支撐區接近 10,500 美元。
SOX 本月稍早跌破 12,000 美元關卡,使得原先主張該指數應守住 11,960 美元警告水準的初始看漲論點失效。跌勢在貫穿該水準後加速,最終觸及 10,445 美元,隨後買盤進場。該低點正好落在領先對角線型態的 2.00 斐波那契擴展位,此水準在歷史上曾標示了修正波浪的完成。
當前的型態與 6 月歷史高點後的結構如出一轍,當時指數形成了一個五浪領先對角線型態。該對角線內的每一浪又細分為三浪,形成 abc-abc-abc-abc-abc 的結構。Schure 表示,斐波那契在 1.62 和 2.00 擴展位的精準命中,為艾略特波浪計數增添了可信度。
13,500 美元目標代表了兩項技術指標的匯聚:一是回撤至對角線型態起點,落在 12,800 美元至 14,300 美元之間;二是先前跌勢的典型 B 波回升區間 50% 至 76.4%。這兩種方法的重疊區域在 13,500 美元附近形成了一個強勁的阻力區。
突破 13,500 美元將為朝向 14,300 美元區域打開通道;而若未能守住當前反彈,則該指數可能再次測試 10,445 美元的低點。交易員正密切關注費城指數,將其視為更廣泛半導體產業的風向指標,該產業涵蓋輝達(Nvidia Corp.)、超微(Advanced Micro Devices Inc.)和英特爾(Intel Corp.)。iShares PHLX 半導體行業指數 ETF 和 VanEck 半導體 ETF 是該產業最廣為追蹤的兩大指標工具。
本文僅供資訊參考,不構成任何投資建議。