輝達承諾為Vera Rubin平台無限量採購DRAM
輝達執行長黃仁勳在摩根士丹利科技大會上向記憶體晶片製造商發出了明確指令:輝達將採購他們能生產的每一顆DRAM晶片。這項激進的採購策略旨在為公司即將推出的Vera Rubin AI平台 확보 海量記憶體資源,標誌著AI硬體軍備競賽的升級。
黃仁勳解釋說,在資料中心資源(如土地和電力)受限的環境下,客戶有動力部署最強大的運算解決方案以最大限度地發揮其投資效益。這種動態使得確保高規格記憶體的穩定供應成為輝達關鍵的戰略優先事項,即使記憶體價格上漲,公司也將繼續積極採購。
下一代AI晶片將需要288GB的先進HBM4記憶體
對記憶體的永不滿足的需求根植於輝達下一代加速器的架構。儘管公司當前的GB300平台已經支援288GB的大容量高頻寬記憶體(HBM),比之前的GB200代的192GB有了顯著提升,但技術要求將進一步增強。即將推出的Vera Rubin平台將保持288GB的容量,但將從目前的HBM3E標準過渡到更先進的HBM4。
向HBM4的轉變是導致供應緊張的關鍵因素。HBM4記憶體採用16層堆疊設計,比HBM3E的12層設計製造起來更複雜。更高的複雜性增加了生產失敗率,這意味著生產每顆功能正常的HBM4晶片需要消耗更多的DRAM晶圓。這一技術飛躍將進一步加劇全球高性能記憶體的供應緊張。
記憶體製造商因AI需求擠壓消費級供應而獲益
輝達對記憶體的巨大需求的主要受益者是全球三大DRAM製造商:三星、SK海力士和美光。儘管這三家公司都在增加產量,但它們的重點是高利潤的HBM和企業級DRAM,以服務利潤豐厚的AI資料中心市場。分析師認為,這一轉變將帶來顯著的利潤率擴張,Stifel分析師Brian Chin預計伺服器DDR5產品的毛利率可能超過80%。
這一戰略重點預計將產生顯著的連鎖反應。AI相關記憶體的優先生產預計將導致消費級DRAM市場在未來至少一年內出現供應短缺,影響個人電腦和其他消費電子產品的記憶體可用性和成本。與此同時,緊張的供需平衡預計將推動HBM、LPDDR4、LPDDR5以及即將推出的DDR6標準的價格持續上漲,這也將使輝達的核心伺服器組裝合作夥伴,如富士康、廣達和緯創受益。