ASML預測EUV突破將使晶片產量提升50%

EUV突破旨在2030年前將產量提高50%

ASML的研究人員發現了一種方法，可以顯著提高其關鍵極紫外（EUV）光刻機中使用的光源功率。這項基礎性增強預計將使到2030年全球晶片生產能力提高多達50%。這一突破直接解決了先進半導體製造中的一個核心瓶頸，為更高效、更高產量的世界最先進晶片生產鋪平了道路。

創新鞏固ASML的市場主導地位

這項技術飛躍鞏固了ASML在高端半導體製造設備市場上的近乎壟斷地位。作為EUV光刻系統的獨家供應商，其技術的任何改進都直接轉化為其客戶（包括所有主要晶片製造商）的競爭優勢。通過實現更高的吞吐量，這項創新有望緩解長期的供應鏈限制，並加速從人工智能到消費電子產品等嚴重依賴尖端處理器的行業的技術進步。