美國對韓晶片廠二百億美元建廠投資壓力升溫

美國首次將韓國半導體投資要求與首爾八千億韓元的國內集群計畫掛鉤，迫使三星與SK海力士須在雙線資本承諾之間進行權衡。

據執政黨官員透露，美國加大對韓國半導體企業在美國本土興建記憶體晶圓廠的施壓力度，首次將此要求與對首爾八千億韓元湖南集群計畫的不滿掛鉤。

一名要求匿名的執政黨官員表示：「美國要求我們的半導體企業投資當地的記憶體晶圓廠設施，並確保記憶體供應穩定。湖南大型項目公布後，半導體投資壓力明顯加劇。」

貿易部長鄭仁教於8月16日前往華盛頓進行為期四天的投資會談，期間會晤美國商務部長霍華德·盧特尼克。此要求是兩國政府商定的二千億美元對美投資框架的一部分，首爾計劃於九月公布首批項目。單一座晶圓廠所需資本介於一百五十兆至二百兆韓元之間。

雙重壓力——國內集群義務加上潛在的美國晶圓廠承諾——可能對三星與SK海力士的資產負債表構成考驗。這兩家企業與美光合計掌控全球約九成DRAM供應。SK海力士已承諾投入數十兆韓元在日本宮城縣興建新的記憶體晶圓廠，其執行長並警告2027年將是「從供應角度而言，產業史上最艱困的一年」。

投資結構漸趨成形

韓美投資框架於十一月簽署的諒解備忘錄中正式確立，構想採用特殊目的載體結構。美國投資資金流入由華盛頓營運的SPV，並由此衍生出針對各項目的SPV。三星與SK海力士可與這些項目SPV成立合資企業，獲得興建晶圓廠的大規模資金。

目前討論中的其中一種結構，是由項目SPV對三星或SK海力士的美國子公司進行股權投資，或提供具有固定回報的次級貸款。另也考慮採用收益掛鉤融資方式，即還款隨銷售額或利潤連動。有業界人士指出，即便是日本的投資項目，至今也未公開詳細結構，暗示利潤分享機制可能在投資決定後再行協商。

企業回應與雙重負擔

SK集團會長崔泰源於8月20日與總統李在明進行私人晚宴，三星電子會長李在鎔及現代汽車集團會長鄭義宣亦安排後續會面。總統密集接見企業界領袖，反映企業部門需要在應對美國壓力的同時，協調處理國內義務。

業界評估顯示，SK海力士表明願意在美國建廠，與華盛頓的施壓難以拆分。崔泰源近日接受CNBC訪問時表示，在美國找尋合適廠址「確實困難」，但表達了繼續推進的意願。三星雖未計劃在美興建記憶體晶圓廠，但在第二座泰勒晶圓廠動工後，正評估在美國新增1.4奈米晶圓代工產能。

此事的影響遠超企業資產負債表層面。記憶體晶片價格於12個月內飆漲逾500%，原因是三星、SK海力士與美光將產能轉向用於AI加速器的高頻寬記憶體。SK海力士七月完成破紀錄的265億美元那斯達克ADR發行——這是外國企業在美國規模最大的上市案——顯示該產業的財務實力，同時也暴露其對地緣政治逆流的曝險。美光股價過去一年飆升近670%，SK海力士上漲約470%，三星則超過250%。

韓國晶片廠上次面臨美國在DRAM定價上的協調施壓是在2005年，當時三星與海力士就價格壟斷認罪，合計繳納4.85億美元罰款。此次施壓針對的是投資地點而非定價，但華盛頓動用法律與政治手段制約韓國記憶體廠商的先例仍然值得參考。

韓國政府堅稱半導體投資並非對美投資談判的首要目標，但業界消息人士預期此議題在中期內仍將持續受到關注。首爾計劃於九月公布首批對美投資項目，未來數週將考驗韓國晶片廠能否在華盛頓的要求、國內集群承諾與全球記憶體供應緊縮之間取得平衡。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。