記憶體晶片製造商SK海力士證實，受AI相關需求的爆炸性增長和物理生產限制影響，2026年將面臨嚴重的供應短缺。該公司在2月20日的一次投資者會議上表示，今年無法完全滿足任何客戶的需求，鞏固了賣方市場地位，使得價格上漲不可避免。
在2月20日與高盛舉行的一次虛擬投資者會議上，SK海力士向市場發出了一個嚴峻的訊息：今年無法完全滿足任何客戶的記憶體需求。該公司將短缺歸因於AI客戶不懈的需求以及物理供應瓶頸（包括整個行業有限的潔淨室空間）的綜合影響。這種供需失衡已將市場主導權牢牢地轉移到供應商手中。
SK海力士指出，其自身的DRAM和NAND庫存已處於僅夠維持四周的緊張水平，並預計在全年將進一步下降。該公司駁斥了客戶為確保更多晶片而重複預訂訂單的風險，指出客戶理解短期內生產能力是固定的，並且此類行為只會導致價格上漲。
供需失衡正直接轉化為記憶體組件價格的持續上漲。SK海力士明確表示，預計記憶體價格將在2026年全年持續上漲。這一趨勢得益於整個供應鏈的低庫存水平，其中伺服器客戶的庫存剛剛達到健康水平，而PC和行動客戶的庫存正在下降。
這種動態增強了SK海力士的議價能力，使其能夠與主要客戶就多年期長期合約進行談判。此舉標誌著市場結構性轉變，買方優先考慮確保長期供應穩定性，而非現貨市場價格談判。
對於備受追捧的高頻寬記憶體（HBM），SK海力士確認其2026年的生產能力已全部售罄。儘管這意味著2026年的分配已確定，但該公司認為當前市場緊張狀況帶來了戰略優勢。傳統DRAM的嚴重短缺為SK海力士提供了強大的議價籌碼，以確保2027年HBM業務獲得更優惠的條款。
儘管今年的資本支出將增加，但SK海力士強調將保持紀律性，主要將投資集中在HBM和傳統DRAM上。該公司今年將重點提升HBM3E和HBM4的1b奈米製程，同時到年底將超過一半的傳統DRAM生產轉移到更先進的1c奈米節點。1c奈米製程在HBM上的大規模應用計畫於2027年進行。
