美光2026年飆漲207% 但恐面臨大幅回檔風險

美光2026年漲幅達207%，但支撐漲勢的記憶體價格漲速已明顯放緩。

美光股價在2026年攀升207%，但記憶體價格漲幅趨緩，恐使這波讓該晶片製造商本益比達到前瞻盈餘5.5倍的漲勢陷入停滯。

SpaceX執行長馬斯克（Elon Musk）在公司財報電話會議上表示：「目前的主要限制因素在於記憶體。」他主張需求每年成長約200%，而供給成長僅約20%。德勤（Deloitte）預期記憶體供給吃緊及價格高漲的情況將持續至2029年，甚至可能延續到2030年。

在此背景下，美光2026會計年度第三季（截至5月28日）營收達415億美元，調整後每股盈餘為25.10美元。管理層預測第四季營收將落在490億至510億美元之間，調整後每股盈餘介於30至32美元。DRAM平均售價季增幅度落在60%出頭，NAND價格則季增約80%中段。

風險在於漲幅動能正在趨緩。台灣市場研究機構集邦科技（TrendForce）預期第三自然季合約價格僅上漲13%至18%（傳統DRAM）及10%至15%（NAND），而NAND晶圓價格已在7月停止上漲。華爾街對美光2027會計年度每股盈餘的預估值已從三個月前的95.80美元攀升至154.70美元，但過去一個月僅成長1.2%——顯示盈餘上調動能可能已觸頂。

價格漲幅趨緩之際 盈餘上調動能轉平

美光銷售DRAM（協助處理器處理資料）與NAND（用於資料儲存），此外還有高頻寬記憶體（HBM），這是一種應用於AI系統的先進DRAM。AI資料中心支出帶動了HBM及傳統伺服器記憶體的需求，同時供給持續吃緊。美光正為其最大客戶大量出貨HBM4，由於HBM消耗的晶圓產能遠高於傳統DRAM，產量提升也同時限制了普通記憶體晶片的供給。

記憶體獲利具有明顯的週期性。高價格會吸引生產商擴充產能，最終可能削弱售價與利潤率。美光正在增加資本支出，2026會計年度支出預期將達約270億美元，但多個大型產能項目要到2027年中或之後才會開始貢獻。這使得盈餘成長趨緩比記憶體供給突然增加更成為迫在眉睫的風險。

5.5倍本益比能否在成長降溫之際獲得支撐？

美光目前僅以一年期前瞻盈餘的5.5倍交易，看似便宜。但對於週期性公司而言，當盈餘預估建立在異常高的獲利基礎上時，低前瞻本益比可能具有誤導性。若記憶體價格漲幅趨緩導致盈餘預測停滯甚至下修，這個低本益比反而可能失真。

看空論點可能被推翻的情境包括：HBM需求持續超過供給、美光順利推進HBM4量產，且毛利率維持在高檔。新產能延遲投產可能延長當前記憶體週期，使盈餘維持更長時間的強勁表現。美銀證券（Bank of America）重申對美光的買進評等，目標價為1,550美元，隱含約72%的上漲空間，分析師維韋克·阿雅（Vivek Arya）認為投資人過度聚焦於未來可能出現的景氣下滑，而當前的基本面仍在持續改善。

美光執行長桑賈伊·梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）曾表示，受AI需求驅動，雲端記憶體、資料中心、行動裝置、客戶端、汽車及嵌入式等領域的供給緊張局面可能延續至2027曆年之後。德勤預測2027年全球記憶體銷售額可能突破一兆美元，相較之下2025年約為2,300億美元。競爭對手SK海力士（SK Hynix）與三星電子（Samsung Electronics）正競相擴充產能，而專注於NAND的Sandisk自2025年從威騰電子（Western Digital）分拆以來已飆漲約3,900%。

對投資人而言，問題在於是否該追買這檔今年已漲逾兩倍的股票。記憶體週期的持續性取決於超大規模資料中心業者的資本支出，亞馬遜（Amazon）、微軟（Microsoft）及谷歌（Google）在近期財報中都表示相關支出仍在加速。但隨著價格漲幅趨緩、盈餘上調動能轉平，風險報酬格局已然轉變——等待回檔或許比在當前水準追高提供更好的進場點。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。