美光自低點反彈10% 美銀維持1,550美元目標價

美光科技（Micron Technology）股價自7月29日低點737.88美元反彈約10%，美國銀行（Bank of America）重申對這家記憶體晶片製造商的買入評級及1,550美元目標價。

美國銀行半導體分析師Vivek Arya表示：「近期重新定價反映的是投資者提前因應潛在的下行週期，而非對基本面作出回應。」

Arya認為空頭對週期的判斷正確，但對時機的判斷錯誤，預期美光2028年每股獲利可達150美元，即使以悲觀情境估計也有至少100美元——遠高於2018年前一輪週期高峰約12美元的水準。在悲觀情境下，該股交易價格低於本益比九倍。

該股收盤約877.57美元，今年以來上漲191%，過去一年上漲692%，市值約9,910億美元。記憶體供應緊張預計持續至2027年，三星（Samsung）、美光和SK海力士（SK Hynix）2027年的DRAM及高頻寬記憶體（HBM）產能已全數分配完畢。

該股於6月25日觸及歷史新高1,254.80美元，隨後在7月底前一度下跌近40%。目前股價較高峰仍低約30%，但已收復多條短中期移動平均線。

美光的長期平均本益比為20.2倍。華爾街對2027財年（截至2027年8月）的共識預測為每股獲利155.56美元。以20倍本益比計算，股價將超過3,100美元——今日投資5,000美元屆時將增值至超過19,000美元。即使以10倍本益比計算，股價也將達到1,555美元，約為目前水準的兩倍。

DIGITIMES引述業界消息來源指出，三星、美光和SK海力士2027年的DRAM及HBM產能已全數分配完畢，客戶僅能獲得其最初訂單量的60%至70%。高盛（Goldman Sachs）預期2027年HBM供需缺口將較今年更為緊張，三星和SK海力士的綜合平均售價預計分別年增約87%和100%，接近每Gb 2.9美元。

美光已承諾在2035年前於美國投資2,500億美元。中國對手長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies）已於7月27日上市，並開始向蘋果（Apple）及主要PC製造商供應DRAM，但高盛表示其擴產主要針對國內需求，對全球緊張的供應格局影響有限。

此波反彈顯示投資者將7月底的拋售視為過早反應，而非記憶體週期的轉折點。下一個考驗是美光能否突破918至925美元的阻力區間，這將確認反彈轉變為持續回升。

本文僅供參考，不構成投資建議。